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龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利一种高饱和阈值的碲镉汞探测器芯片及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513315B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211112869.6，技术领域涉及：H10F77/123；该发明授权一种高饱和阈值的碲镉汞探测器芯片及制备方法是由徐国庆;王仍;焦翠灵;乔辉;储开慧;杨晓阳;李向阳设计研发完成，并于2022-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高饱和阈值的碲镉汞探测器芯片及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高饱和阈值的碲镉汞探测器芯片及制备方法，碲镉汞探测器芯片包括衬底、环氧树脂胶、p型光敏层、n型离子注入层、钝化层、n型电极层和p型电极层，p型光敏层是Hg1‑ xCdxTe组分渐变层，沿背离衬底方向依次包括Cd组分线性渐变Hg1‑xCdxTe层和Cd组分非线性渐变Hg1‑xCdxTe层，Cd组分x从高到低由Cd组分非线性渐变Hg1‑xCdxTe层的上表面渐变至Cd组分线性渐变Hg1‑xCdxTe层的下表面。本发明芯片的n型离子注入层形成在Cd组分非线性渐变Hg1‑xCdxTe层内，渐变带隙引入的较强内建电场通过提高空穴的漂移速度，减少空穴在空间电荷区的堆积，同时抑制p区载流子的扩散运动，降低pn结对p区光生电子的收集效率，降低空间电荷区的载流子浓度，提高芯片饱和阈值，实现室温零偏置电压下工作。

本发明授权一种高饱和阈值的碲镉汞探测器芯片及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高饱和阈值的碲镉汞探测器芯片，包括衬底1、环氧树脂胶2、p型光敏层3、n型离子注入层4、钝化层5、n型电极层6和p型电极层7，其特征在于： 所述p型光敏层3是Hg1-xCdxTe组分渐变层，沿背离衬底方向依次包括Cd组分线性渐变Hg1-xCdxTe层31和Cd组分非线性渐变Hg1-xCdxTe层32，Cd组分x从高到低由所述Cd组分非线性渐变Hg1-xCdxTe层32的上表面渐变至所述Cd组分线性渐变Hg1-xCdxTe层31的下表面； 所述Cd组分非线性渐变Hg1-xCdxTe层32的x取值范围满足b≤x≤a，a＞b且a的最大值为0.8，最小值为0.5，b的最大值为0.36，最小值为0.25，厚度为2～4μm； 所述n型离子注入层4形成在所述Cd组分非线性渐变Hg1-xCdxTe层32中，所述n型离子注入层4顶面和所述Cd组分非线性渐变Hg1-xCdxTe层32顶面齐平，所述n型离子注入层4的厚度为1～1.8μm； 所述Cd组分线性渐变Hg1-xCdxTe层31的下表面通过环氧树脂胶2粘接在衬底1上。

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