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龙图腾网获悉重庆中烟工业有限责任公司申请的专利一种去除PEEK材料中残留二苯砜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115246929B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210853162.4，技术领域涉及：C08G65/46；该发明授权一种去除PEEK材料中残留二苯砜的方法是由俞海军;马扩彦;吕祥敏;肖克毅;朱立军;马明;唐杰;齐延鹏;张玲玲;刘如灿;陈云璨设计研发完成，并于2022-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种去除PEEK材料中残留二苯砜的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及PEEK材料技术领域，尤其涉及一种去除PEEK材料中残留二苯砜的方法，包括以下步骤:S1预处理：将PEEK材料表面清洁，清洁后真空冻干，备用；S2梯度去除：将经过S1步骤处理的PEEK材料置于托盘内，再置于梯度去除装置中，梯度去除；S3保温：将经过S2步骤处理的PEEK材料保温；S4冷却：将经过S3步骤处理的PEEK材料冷却至室温，取出。其目的是：用来解决背景技术中指出的，由于聚醚醚酮中残留有二苯砜，导致聚醚醚酮作为食品行业的材料以及在较高温度条件下使用时，残留的二苯砜会在使用过程中，逐步挥发，对环境以及健康造成一些影响，通过本方案提供的方法，能够完全去除聚醚醚酮中残留的二苯砜，使聚醚醚酮材料能够满足食品行业在较高温度下使用。

本发明授权一种去除PEEK材料中残留二苯砜的方法在权利要求书中公布了：1.一种去除PEEK材料中残留二苯砜的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1预处理：将PEEK材料表面清洁，清洁后真空冻干，备用； S2梯度去除：将经过S1步骤处理的PEEK材料置于托盘内，再置于梯度去除装置中，梯度去除； S3保温：将经过S2步骤处理的PEEK材料保温； S4冷却：将经过S3步骤处理的PEEK材料冷却至室温，取出； 所述S1步骤中，PEEK材料在表面清洁过程中，采用常压等离子体处理装置处理；所述等离子体处理装置的处理条件为：幅值为400-700v，脉冲宽度为30-70，重复频率为500-1000Hz的陡脉冲； 所述S2步骤中，梯度去除的条件为：梯度升温，梯度升温的过程中，同步进行微波振荡；所述微波振荡的条件为：频率为350-1200MHz，功率密度为4-8mWcm²； 所述梯度升温过程中，升温的条件为：以每分钟5-10℃上升，直到温度达到预设温度，所述预设温度为230-250℃。

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