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龙图腾网获悉江苏芯长征微电子集团股份有限公司;南京芯长征科技有限公司申请的专利背面集成温度传感器的功率半导体器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115116983B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210724019.5，技术领域涉及：H01L23/34；该发明授权背面集成温度传感器的功率半导体器件及制备方法是由吴凯;张广银;杨飞;任雨;朱阳军设计研发完成，并于2022-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本背面集成温度传感器的功率半导体器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种背面集成温度传感器的功率半导体器件及制备方法。按照本发明提供的技术方案，所述背面集成温度传感器的功率半导体器件，包括功率半导体器件本体，所述功率半导体器件本体包括衬底、制备于所述衬底正面的正面结构以及制备于所述衬底背面的背面结构，所述正面结构包括有源区，所述背面结构包括背面电极，在所述衬底的背面还制备用于监测功率半导体器件本体工作温度的温度传感器，其中，所述温度传感器与正面结构内的有源区正对应，且所述温度传感器与背面电极相互独立。本发明能有效获取功率器件工作时的温度，提高温度监控的精度与可靠性。

本发明授权背面集成温度传感器的功率半导体器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种背面集成温度传感器的功率半导体器件，包括功率半导体器件本体，所述功率半导体器件本体包括衬底、制备于所述衬底正面的正面结构以及制备于所述衬底背面的背面结构，所述正面结构包括有源区，所述背面结构包括背面电极，其特征是： 在所述衬底的背面还制备用于监测功率半导体器件本体工作温度的温度传感器，其中，所述温度传感器与正面结构内的有源区正对应，且所述温度传感器与背面电极相互独立； 所述温度传感器包括设置于衬底背面的背面温度传感沟槽、覆盖背面温度传感沟槽内壁的背面沟槽绝缘氧化层以及制备于背面温度传感沟槽内的温度传感单元，所述温度传感单元通过背面沟槽绝缘氧化层与衬底绝缘隔离； 所述温度传感单元包括温度传感第一导电多晶硅块、温度传感第二导电多晶硅块以及用于将温度传感第一导电多晶硅块、温度传感第二导电多晶硅块引出的温度传感电极单元，其中， 温度传感第一导电多晶硅块、温度传感第二导电多晶硅块分布于背面温度传感沟槽的槽底，且温度传感第一导电多晶硅块的导电类型与温度传感第二导电多晶硅块的导电类型不同，温度传感第一导电多晶硅块与温度传感第二导电多晶硅块对应相邻的端部接触。

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