国巨电子(中国)有限公司张琦获国家专利权
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龙图腾网获悉国巨电子(中国)有限公司申请的专利晶片电阻的内电极缺陷检测结构以及缺陷电阻的筛选方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115121506B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210725787.2，技术领域涉及：B07C5/344；该发明授权晶片电阻的内电极缺陷检测结构以及缺陷电阻的筛选方法是由张琦;胡新明设计研发完成，并于2022-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶片电阻的内电极缺陷检测结构以及缺陷电阻的筛选方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种晶片电阻的内电极缺陷检测结构以及缺陷电阻的筛选方法，内电极缺陷检测结构包括容置槽和设置在容置槽内的导电结构，容置槽设置在晶片电阻外侧的保护层上，容置槽依次贯穿晶片电阻的若干个保护层至电阻层，两个内电极均暴露于所述容置槽内，导电结构分别与两个内电极连接。本发明通过在内电极有缺陷的晶片电阻上设置容置槽，并在容置槽内填充导电材料使两个内电极之间导通，进而改变有缺陷晶片电阻的外观和阻值，便于后期可通过外观检测或者阻值测量来筛选出内电极有缺陷晶片电阻；避免了人工浪费以及人工剔除带来的漏剔除风险，提高产品质量，同时还避免了一整片或一整条剔除方式带来的良率损失和资源浪费，节省生产成本。
本发明授权晶片电阻的内电极缺陷检测结构以及缺陷电阻的筛选方法在权利要求书中公布了：1.一种晶片电阻的内电极缺陷检测结构，晶片电阻包括基板（1）、间隔设置在所述基板（1）一侧的两个内电极（3）、依次堆叠覆盖在两个所述内电极（3）之间的电阻层（4）和若干个保护层、以及设置在所述内电极（3）远离所述基板（1）一侧的辅助电极（7），其特征在于，内电极缺陷检测结构包括容置槽（10）和设置在所述容置槽（10）内的导电结构（11），所述容置槽（10）设置在外侧的保护层上，所述容置槽（10）依次贯穿若干个所述保护层至所述电阻层（4），两个所述内电极（3）均暴露于所述容置槽（10）内，所述导电结构（11）分别与两个所述内电极（3）连接； 所述容置槽（10）为长条形，所述容置槽（10）长度方向的一端延伸至一个所述内电极（3），所述容置槽（10）长度方向的另一端延伸至另一个所述内电极（3）； 所述导电结构（11）包括镍层和锡层。
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