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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种LED芯片结构及其制作方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084334B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210702425.1，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权一种LED芯片结构及其制作方法、电子设备是由阚钦设计研发完成，并于2022-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LED芯片结构及其制作方法、电子设备在说明书摘要公布了：本发明提出了一种LED芯片结构及其制作方法、电子设备，在常规LED芯片结构的基础上，将背面金属板的边缘向中心收缩，即削除背面金属板边缘包含有不规则晶相的部分材料。本发明将常规的初始LED芯片结构中不规则的晶相进行处理，有效改善LED芯片结构的表面平整度，提高LED芯片结构与封装体之间的贴合度，减少固晶后的空洞率，易于封装过程中有机污染物的挥发，改善LED芯片结构的封装效果。

本发明授权一种LED芯片结构及其制作方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片结构的制作方法，其特征在于，所述方法应用于由LED芯片板切割获得的独立的初始LED芯片结构制作中，所述初始LED芯片结构的背面金属板边缘表面形成有突出于背面金属板表面的晶相； 所述方法包括： 削除初始LED芯片结构中背面金属板边缘包含有所述突出于背面金属板表面晶相的部分材料，获得背面金属板的边缘向中心收缩，且背面金属板表面不存在晶相的最终LED芯片结构； 所述LED芯片结构，包括： 第一半导体层、第二半导体层、位于所述第一半导体层和第二半导体层之间有源层， 与第一半导体层形成欧姆接触的第一导电层、与所述第一导电层形成电连接反射层，与所述反射层形成电连接的第二导电层、与所述第二导电层形成电连接的电极，所述第一导电层、反射层、第二导电层和电极共同组成第一电连接层， 贯穿所述第一半导体层及有源层，并延伸到第二半导体层内部的凹陷， 与所述第一半导体层表面部分接触且部分暴露于所述第二半导体层外部的第一绝缘层、覆盖于所述凹陷侧壁及所述第一电连接层一侧的第二绝缘层，部分接触于所述第二绝缘层表面并且与所述第二半导体层形成电连接的第三导电层、以及与所述第三导电层接触的基板， 覆盖于所述基板表面的背面金属板， 所述背面金属板的边缘向中心收缩，且所述背面金属板表面不存在晶相； 所述背面金属板的纵截面为梯形，所述背面金属板的下底与所述基板贴合； 所述背面金属板为多层金属结构； 所述背面金属板包括第一背面金属层和第二背面金属层，所述第二背面金属层包裹在所述第一背面金属层表面； 第一导电层、第二导电层、第三导电层和电极均为多层金属结构； 所述基板为不导电材料时，所述第三导电层为第二电连接层；所述基板导电时，所述第三导电层与所述基板共同组成电连接层。

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