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龙图腾网获悉苏州紫灿科技有限公司申请的专利一种调控出光角的深紫外LED及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050865B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210631334.3，技术领域涉及：H10H20/811；该发明授权一种调控出光角的深紫外LED及其制备方法是由张骏;张毅;岳金顺设计研发完成，并于2022-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种调控出光角的深紫外LED及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种调控出光角的深紫外LED及其制备方法，该调控出光角的深紫外LED包括依次层叠布置的蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN本征层、电流扩展层、出光角调控层、多量子阱有源层、电子阻挡层、p型AlGaN空穴注入层和p型GaN接触层；出光角调控层为AlGaN单层结构或AlGaN多层周期结构，且出光角调控层中Al组分百分数大于多量子阱有源层中量子垒的Al组分百分数。本发明通过在多量子阱有源层与电流扩展层之间引入出光角调控层，提升了对多量子阱有源层的压应力，增加了深紫外LED的正面出光量，改善了深紫外LED的出光角，从而实现紫外杀菌效率的提高。

本发明授权一种调控出光角的深紫外LED及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种调控出光角的深紫外LED，其特征在于，所述调控出光角的深紫外LED包括依次层叠布置的蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN本征层、电流扩展层、出光角调控层、多量子阱有源层、电子阻挡层、p型AlGaN空穴注入层和p型GaN接触层； 其中，所述出光角调控层为AlxGa1-xN单层结构时，所述出光角调控层的厚度为0.1nm~500nm；所述电流扩展层中Al组分百分数为a，所述多量子阱有源层中量子垒的Al组分百分数为b，所述多量子阱有源层中量子阱的Al组分百分数为c，满足x≥a且x≥b+20%≥c+5%； 所述出光角调控层为AlyGa1-yNAlzGa1-zN多层周期结构时，AlyGa1-yN层厚度为0.1nm~200nm，AlzGa1-zN层厚度为0.1nm~100nm；所述电流扩展层中Al组分百分数为a，所述多量子阱有源层中量子垒的Al组分百分数为b，所述多量子阱有源层中量子阱的Al组分百分数为c，满足y-5%≥z≥a且y-5%≥z≥b+20%≥c+5%。

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