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龙图腾网获悉聊城大学申请的专利基于高折射率差超结构的光学传感器及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114689543B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210472763.0，技术领域涉及：G01N21/41；该发明授权基于高折射率差超结构的光学传感器及制作方法是由房文敬;毕丽平;范鑫烨;牛慧娟;白成林;张霞;杨立山设计研发完成，并于2022-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于高折射率差超结构的光学传感器及制作方法在说明书摘要公布了：一种基于高折射率差超结构的光学传感器及制作方法，涉及光学传感技术领域，具体属于一种基于高折射率差超结构的光学传感器及制作方法。包括介质基底和超结构，超结构为全介质材料构成的光栅单元，所述的光栅单元在介质基底上等间距分布，并在X方向周期性排列。本发明采用高折射率的全介质材料，能够避免金属材料引起的欧姆损耗，在实现高灵敏度的同时，还能将检测波长范围扩展至近红外波段。

本发明授权基于高折射率差超结构的光学传感器及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种基于高折射率差超结构的光学传感器，其特征在于，包括介质基底和超结构，超结构为全介质材料构成的光栅单元，所述的光栅单元在介质基底上等间距分布，并在X方向周期性排列；其中，光栅采用材料Si，厚度为220nm，衬底采用材料SiO2，厚度为2um，其中，Si对应的折射率为3.45，SiO2对应的折射率为1.48；光栅单元的周期为760nm，每个周期中各个光栅条的宽度均为125nm，光栅条的厚度为220nm，相邻光栅条之间的间距为50nm；所述光学传感器透射谱在880nm-980nm之间形成3个Fano共振峰，根据所述的一种基于高折射率差超结构的光学传感器的制作方法，还包括以下过程： 步骤一：使用去离子水溶液对二氧化硅基底进行冲洗去除污染物； 步骤二：通过使用低压化学气相沉积方法，将硅薄膜沉积在二氧化硅基底； 步骤三：将光刻胶均匀旋涂到硅薄膜上并烘烤； 步骤四：通过电子束曝光技术投影图形，照射需要刻蚀的区域，相应的非刻蚀区域不被电子束曝光； 步骤五：对电子束曝光后的相应位置残留的光刻胶，进行显影处理，浸入无机弱碱性水溶液中，经过显影液浸泡后需要进行高温烘烤，让没有电子束曝光区域的胶实现硬化进而具有抗蚀性； 步骤六：采用电感耦合等离子体刻蚀，得到需要的光栅结构； 步骤七：去除光刻胶，使用去等离子水清洗，得到所述光学传感器。

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