赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司周国安获国家专利权
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龙图腾网获悉赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司申请的专利一种微系统薄膜平坦化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115385296B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210411851.X，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种微系统薄膜平坦化方法是由周国安;罗大杰设计研发完成，并于2022-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种微系统薄膜平坦化方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种微系统薄膜平坦化方法，其中微系统薄膜平坦化方法包括：在图形化薄膜上沉积硼磷硅玻璃层；然后，对硼磷硅玻璃层进行快速热退火和退火处理；最后，抛光退火处理后的硼磷硅玻璃层，至硼磷硅玻璃层达到预设厚度。通过退火处理可有效的使硼磷硅玻璃回流，降低阶梯差；同时，使掺杂的硼B和磷P可以在不同的界面得到修复，形成均匀的浓度；在进行抛光处理时，由于牺牲层的稳定性更高，阶梯差更小，就可提高抛光速度降低抛光量，使得牺牲层薄膜的厚度、平坦度及稳定性得到有效控制；同时，也可节省大量的CMP耗材，比如抛光垫、抛光液、修整器等等，并且产出更高，经济效益十分明显。
本发明授权一种微系统薄膜平坦化方法在权利要求书中公布了：1.一种微系统薄膜平坦化方法，其特征在于，包括： 提供形成有图形化薄膜的半导体衬底； 在所述图形化薄膜上沉积硼磷硅玻璃层； 对所述硼磷硅玻璃层进行快速热退火和退火处理； 抛光退火处理后的硼磷硅玻璃层，至所述硼磷硅玻璃层达到预设厚度； 所述在所述图形化薄膜上沉积硼磷硅玻璃层，包括： 在所述图形化薄膜上沉积厚度为2um-3.5um的第一硼磷硅玻璃层； 在所述第一硼磷硅玻璃层上沉积厚度为2um-3.5um第二硼磷硅玻璃层； 所述对所述硼磷硅玻璃层进行快速热退火和退火处理，包括： 在加热温度为800℃~850℃的条件下进行快速热退火处理，并持续5s-10s； 快速热退火处理后在氮气环境下进行退火处理，所述退火处理的时长不小于20秒。
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