湖南大学罗鹏飞获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南大学申请的专利范德华间隙场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114759086B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210358434.3，技术领域涉及：H10D64/68；该发明授权范德华间隙场效应晶体管及其制备方法是由罗鹏飞;段鑫沛;刘兴强;廖蕾;林均;洪若豪设计研发完成，并于2022-04-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本范德华间隙场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种范德华间隙场效应晶体管，所述晶体管具有过饱和氧增大物理吸附界面，包括衬底，在所述衬底上形成半导体沟道层，栅极介电层位于所述半导体沟道层上方并与之交叠，所述栅极介电层通过将二硫化铪氧化成二氧化铪制成。本发明利用臭氧处理机的富氧环境对二维材料进行可控充分氧化，实现了过饱和氧增大物理吸附界面的范德华间隙场效应晶体管，制备简单，性能卓越，可控性强。
本发明授权范德华间隙场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种范德华间隙场效应晶体管，所述晶体管具有过饱和氧增大物理吸附界面，其特征在于，包括衬底，在所述衬底上形成半导体沟道层，栅极介电层位于所述半导体沟道层上方并与之交叠，所述栅极介电层通过将二硫化铪氧化成二氧化铪制成；所述半导体沟道层与栅极介电层之间由范德华力作用形成物理堆叠； 在臭氧处理机中对二硫化铪实现富氧环境全覆盖，二硫化铪被氧化成二氧化铪，同时过饱和的氧原子增大半导体沟道层与栅极介电层间的范德华间隙； 在保持范德华接触的同时，进一步增大其间隙，无损的界面完美的保证沟道材料和栅极介电层的本征特性，实现在低温条件下制备栅介电质薄膜。
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