南京航空航天大学刘伟强获国家专利权
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龙图腾网获悉南京航空航天大学申请的专利一种基于单极性翻转自旋轨道力矩磁存储器的存内运算逻辑设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114708893B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210322727.6，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权一种基于单极性翻转自旋轨道力矩磁存储器的存内运算逻辑设计方法是由刘伟强;祝浩男;吴比设计研发完成，并于2022-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于单极性翻转自旋轨道力矩磁存储器的存内运算逻辑设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于单极性翻转自旋轨道力矩磁存储器的存内运算逻辑设计方法，通过阵列内基本的读逻辑和写逻辑设计TRS逻辑和RD逻辑；针对自旋轨道力矩磁存储器的单极性翻转特性，基于读逻辑、写逻辑、TRS逻辑和RD逻辑，设计存内运算逻辑，包括：两输入与，两输入或，三输入择多和1位全加逻辑。本发明最大程度解决自旋轨道力矩磁存储器状态翻转后需要较长时间恢复的问题以及将输出结果覆盖输入数据来避免数据写回操作。
本发明授权一种基于单极性翻转自旋轨道力矩磁存储器的存内运算逻辑设计方法在权利要求书中公布了：1.一种基于单极性翻转自旋轨道力矩磁存储器的存内运算逻辑设计方法，其特征在于，包括： 步骤1：通过阵列内基本的读逻辑和写逻辑设计TRS逻辑和RD逻辑； 步骤2：针对自旋轨道力矩磁存储器的单极性翻转特性，基于读逻辑、写逻辑、TRS逻辑和RD逻辑，设计存内运算逻辑，包括：两输入与，两输入或，三输入择多和1位全加逻辑； 所述TRS逻辑是指：对于存储阵列内同一列的两个存储单元A和B，通过控制单元A存储的阻值的差异产生不同大小的电流对被写单元B进行写逻辑操作； 所述RD逻辑是指：利用读电路中结果锁存原理，将读结果进行延时处理，使得下一步骤可根据读电路结果进行选择逻辑。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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