长江先进存储产业创新中心有限责任公司周凌珺获国家专利权
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龙图腾网获悉长江先进存储产业创新中心有限责任公司申请的专利相变存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114678467B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210303251.1，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权相变存储器及其制备方法是由周凌珺;杨红心;刘峻设计研发完成，并于2022-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本相变存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种相变存储器及其制备方法，所述相变存储器包括：相变存储单元，包括：由下至上依次层叠设置的第一电极层、相变存储层和第二电极层；所述相变存储单元还包括：导电的缓冲层，位于所述第一电极层和所述相变存储层之间，和或，位于所述相变存储层和所述第二电极层之间，用于缓冲所述相变存储层在晶态和非晶态转变过程中产生的应力。
本发明授权相变存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种相变存储器，其特征在于，包括： 相变存储单元，包括：由下至上依次层叠设置的第一电极层、相变存储层和第二电极层； 所述相变存储单元还包括：导电的缓冲层，位于所述第一电极层和所述相变存储层之间，和或，位于所述相变存储层和所述第二电极层之间，用于缓冲所述相变存储层在晶态和非晶态转变过程中产生的应力； 其中，所述缓冲层包括：第一子缓冲层和第二子缓冲层，所述第二子缓冲层位于所述第一子缓冲层和所述相变存储层之间； 所述第一子缓冲层的材料包括锑单质、碲单质或铋单质中的至少一种； 所述第二子缓冲层的材料包括碲化锑和或碲化铋。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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