无锡华瑛微电子技术有限公司温子瑛获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡华瑛微电子技术有限公司申请的专利半导体处理装置和半导体处理系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116844993B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210294831.9，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权半导体处理装置和半导体处理系统是由温子瑛设计研发完成，并于2022-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体处理装置和半导体处理系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体处理装置，其包括：具有支撑晶圆的第一支撑区的下腔室；具有第二支撑区的上腔室，其中当上腔室与下腔室闭合时，晶圆放置于第一支撑区和第二支撑区之间；紧邻所述上腔室和或所述下腔室设置的温控组件，其通过调整自身的温度来调整所述上腔室和或所述下腔室的温度；第一支撑区或第二支撑区的边缘区域形成的第一通道，第一通道提供第一空间用于流通腐蚀晶圆边缘区域的一种或多种化学流体；利用所述温控组件调整所述上腔室和或所述下腔室的温度，从而调整所述晶圆的边缘的腐蚀宽度。这样，可以对所述晶圆的边缘的腐蚀宽度进行微调。
本发明授权半导体处理装置和半导体处理系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体处理装置，其特征在于：其包括： 具有支撑晶圆的第一支撑区的下腔室； 具有第二支撑区的上腔室，其中当上腔室与下腔室闭合时，晶圆放置于第一支撑区和第二支撑区之间； 紧邻所述上腔室和或所述下腔室设置的温控组件，其通过调整自身的温度来调整所述上腔室和或所述下腔室的温度； 第一支撑区或第二支撑区的边缘区域形成的第一通道，第一通道提供第一空间用于流通腐蚀晶圆边缘区域的一种或多种化学流体； 利用所述温控组件调整所述上腔室和或所述下腔室的温度，从而利用所述上腔室和或所述下腔室的热胀冷缩微调第一支撑区和或第二支撑区的边缘的位置，进而调整所述晶圆的边缘区域伸入第一空间的宽度，最终调整所述晶圆的边缘的腐蚀宽度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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