昭和电工株式会社山口健洋获国家专利权
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龙图腾网获悉昭和电工株式会社申请的专利磁记录介质及磁存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132233B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210282511.1，技术领域涉及：G11B5/82；该发明授权磁记录介质及磁存储装置是由山口健洋;柴田寿人;福岛隆之;徐晨设计研发完成，并于2022-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁记录介质及磁存储装置在说明书摘要公布了：本发明的课题在于提供能够具有优异的电磁转换特性的磁记录介质及磁存储装置。本发明涉及的磁记录介质依次层叠而具备基板、基底层以及包含具有L10型晶体结构的合金的磁性层，上述基底层包含MgO，上述磁性层具有至少3层以上，3层上述磁性层从上述基板侧依次为第1磁记录层、第2磁记录层和第3磁记录层时，上述第2磁记录层的居里温度Tc与上述第1磁记录层和上述第3磁记录层的居里温度Tc相比分别低，低的程度处于30K～100K的范围内，构成上述第1磁记录层的磁性粒子的底面部的平均粒径与构成上述第2磁记录层和上述第3磁记录层的磁性粒子的底面部的平均粒径相比分别小15％以上。
本发明授权磁记录介质及磁存储装置在权利要求书中公布了：1.一种磁记录介质，其依次层叠而具备基板、基底层以及包含具有L10型晶体结构的合金的磁性层， 所述基底层包含MgO， 所述磁性层具有至少3层以上， 3层所述磁性层从所述基板侧依次为第1磁记录层、第2磁记录层和第3磁记录层时，所述第2磁记录层的居里温度Tc与所述第1磁记录层和所述第3磁记录层的居里温度Tc相比分别低，低的程度处于30K～100K的范围内，构成所述第1磁记录层的磁性粒子的底面部的平均粒径与构成所述第2磁记录层和所述第3磁记录层的磁性粒子的底面部的平均粒径相比，分别小15％以上， 所述第1磁记录层、第2磁记录层和第3磁记录层具有粒状结构，各个磁记录层中的晶界部的含量为35体积％～45体积％的范围内，所述第1磁记录层的成膜时施加有偏压电位。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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