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龙图腾网获悉无锡中微高科电子有限公司申请的专利一种晶圆级扇出型封装结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649281B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210241137.0，技术领域涉及：H01L23/373；该发明授权一种晶圆级扇出型封装结构及其制作方法是由戴飞虎;王成迁;刘逸寒;叶振荣;侯晋燕设计研发完成，并于2022-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶圆级扇出型封装结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路封装技术领域，具体公开了一种晶圆级扇出型封装结构，其中，包括：晶圆，包围所述晶圆的侧面以及部分背面设置的塑封料层，位于所述晶圆底面的塑封料层与所述晶圆背面形成凹槽，所述凹槽的表面依次设置钝化层和金属散热层，所述晶圆内设置晶圆功能区，所述晶圆的正面设置有绝缘层和金属布线层，所述绝缘层和所述金属布线层均与所述晶圆功能区接触，所述金属布线层上设置金属凸点。本发明还公开了一种晶圆级扇出型封装结构的制作方法。本发明提供的晶圆级扇出型封装结构解决了高密度集成模块的热量积累问题，提升了封装的结构的散热性能。

本发明授权一种晶圆级扇出型封装结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆级扇出型封装结构的制作方法，包括晶圆级扇出型封装结构，其特征在于，所述晶圆级扇出型封装结构包括：晶圆，包围所述晶圆的侧面以及部分背面设置的塑封料层，位于所述晶圆底面的塑封料层与所述晶圆背面形成凹槽，所述凹槽的表面依次设置钝化层和金属散热层，所述晶圆内设置晶圆功能区，所述晶圆的正面设置有绝缘层和金属布线层，所述绝缘层和所述金属布线层均与所述晶圆功能区接触，所述金属布线层上设置金属凸点； 所述晶圆级扇出型封装结构的制作方法的制作步骤如下： 提供带有晶圆功能区的晶圆； 在所述晶圆的上表面形成正面光刻胶牺牲层，以及在所述晶圆的下表面形成背面光刻胶牺牲层； 将所述晶圆划切成单颗芯片； 将单颗芯片贴装至在载板上，其中所述单颗芯片的正面光刻胶牺牲层与所述载板接触； 将所述单颗芯片进行塑封，形成包围在所述单颗芯片的背面光刻胶牺牲层以及所述单颗芯片的侧面的塑封料层； 将带有所述塑封料层的单颗芯片与所述载板分离，获得重构圆片； 将所述重构圆片的正面光刻胶牺牲层和背面光刻胶牺牲层均去除，形成位于所述重构圆片的背面的凹槽； 在所述凹槽的表面依次形成钝化层和金属散热层； 在所述重构圆片的正面依次形成绝缘层和金属布线层，所述绝缘层和所述金属布线层均与所述晶圆功能区接触； 在所述金属布线层上形成金属凸点。

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