桑迪士克科技有限责任公司徐华玲获国家专利权
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龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利非易失性存储器的程序循环中的下一状态验证的触发获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115497544B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210126652.4，技术领域涉及：G11C16/24；该发明授权非易失性存储器的程序循环中的下一状态验证的触发是由徐华玲;H·钦;陈汉平;E·彭佐;张方林设计研发完成，并于2022-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本非易失性存储器的程序循环中的下一状态验证的触发在说明书摘要公布了：描述了在基于数据模式的编程期间对存储器单元进行编程和控制位线放电方案的设备和方法。存储器控制器可基于SLC脉冲数目和TLC数据完成信号而预测编程数据模式，且使用这些信号来调整禁止位线可以放电的时间。一旦TLC编程操作具有多于一个数据，所述存储器控制器就使EQVDDSA_PROG与VDDSA相等，且接着放电。在SLC编程中，所述存储器控制器将仅在第一编程脉冲中启用EQVDDSA_PROG，此后停用所述EQVDDSA_PROG。
本发明授权非易失性存储器的程序循环中的下一状态验证的触发在权利要求书中公布了：1.一种设备，其包括： 多个存储器单元，其配置成存储多个状态； 存储器控制器，其可操作地连接到所述多个存储器单元以控制其中的数据存储，且配置成： 将编程控制信号施加到选定位线，以对所述多个存储器单元中的选定存储器单元进行编程，从而对所述选定存储器单元进行编程，且将禁止控制信号施加到所述多个存储器单元中的未选定存储器单元，以阻止对所述未选定存储器单元进行编程， 在将初始编程脉冲施加到所述选定存储器单元之后，停用施加到所述选定位线的均衡信号，且 在达到编程脉冲的阈值数目后立即启用施加到所述选定位线的所述均衡信号。
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