南京芯长征科技有限公司杨飞获国家专利权
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龙图腾网获悉南京芯长征科技有限公司申请的专利高可靠性上下结构的SGT器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114497188B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210081782.0,技术领域涉及:H10D62/10;该发明授权高可靠性上下结构的SGT器件是由杨飞;吴凯;张广银;朱阳军设计研发完成,并于2022-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本高可靠性上下结构的SGT器件在说明书摘要公布了:本发明涉及一种高可靠性上下结构的SGT器件。其包括具有第一导电类型的半导体基板以及制备于半导体基板漂移区的元胞区,所述元胞区内的元胞采用沟槽结构;在所述SGT器件的俯视平面上,元胞区内的元胞包括方环状的元胞外围沟槽以及位于所述元胞外围沟槽内圈中心区的元胞中心处沟槽;在元胞中心处沟槽的外圈设置第二导电类型基区,第二导电类型基区在漂移区内位于元胞中心处沟槽、元胞外围沟槽相应槽底的上方,且第二导电类型基区与元胞中心处沟槽的外侧壁以及元胞外围沟槽内圈的外侧壁接触;本发明能有效减少由于横向方向与纵向方向应力不同引起的翘曲,并能有减少漂移区耐压BV差异导致的耐压可靠性。
本发明授权高可靠性上下结构的SGT器件在权利要求书中公布了:1.一种高可靠性上下结构的SGT器件,包括具有第一导电类型的半导体基板以及制备于半导体基板漂移区的元胞区,所述元胞区内的元胞采用沟槽结构;其特征是: 在所述SGT器件的俯视平面上,元胞区内的元胞包括方环状的元胞外围沟槽以及位于所述元胞外围沟槽内圈中心区的元胞中心处沟槽;在元胞中心处沟槽的外圈与元胞外围沟槽的内圈间设置第二导电类型基区; 在所述SGT器件的截面上,第二导电类型基区在漂移区内位于元胞中心处沟槽以及元胞外围沟槽相应槽底的上方,且第二导电类型基区与元胞中心处沟槽的外侧壁以及元胞外围沟槽内圈的外侧壁接触;在所述元胞中心处沟槽内填充有中心处沟槽导电多晶硅,所述中心处沟槽导电多晶硅通过覆盖元胞中心处沟槽内侧壁以及内底壁的元胞中心处沟槽氧化层与所述元胞中心处沟槽的内侧壁以及内底壁绝缘隔离; 在元胞外围沟槽内设置上下结构分布的屏蔽栅单元,其中,所述上下结构分布的屏蔽栅单元包括位于上方的外围沟槽栅极导电多晶硅以及位于所述外围沟槽栅极导电多晶硅下方的外围沟槽源极导电多晶硅,外围沟槽栅极导电多晶硅与外围沟槽源极导电多晶硅间相互绝缘隔离,外围沟槽栅极导电多晶硅与漂移区上方的栅极金属层电连接,外围沟槽源极导电多晶硅、中心处沟槽导电多晶硅以及第二导电类型基区与漂移区上方的源极金属层电连接; 还包括位于元胞区外侧的引出连接区以及设置于所述引出连接区的引出连接单元,源极金属层通过引出连接单元能与外围沟槽源极导电多晶硅电连接,且栅极金属层通过引出连接单元能与外围沟槽栅极导电多晶硅电连接; 所述引出连接单元包括若干引出区引出沟槽,一引出区引出沟槽与相应元胞内一侧的元胞外围沟槽正对应,且元胞外围沟槽内的外围沟槽栅极导电多晶硅以及外围源极导电多晶硅分别引入到所述引出区引出沟槽内,以分别形成引出沟槽外围沟槽栅极导电多晶硅与引出沟槽外围沟槽源极导电多晶硅; 栅极金属层至少包括栅极引出连接部,所述栅极引出连接部通过与引出区引出沟槽正对应的栅极多晶硅引出接触孔与所述引出区引出沟槽内的引出沟槽外围沟槽栅极导电多晶硅欧姆接触; 源极金属层包括源极引出连接部以及与所述源极引出连接部连接的源极元胞连接部,通过源极元胞连接部与元胞中心处沟槽内的中心处沟槽导电多晶硅欧姆接触,所述源极引出连接部通过与引出区引出沟槽正对应的源极多晶硅引出接触孔与所述引出区引出沟槽内的引出沟槽外围沟槽源极导电多晶硅欧姆接触; 在引出连接区内相邻的两引出区引出沟槽之间设置一引出区过渡沟槽,所述引出区过渡沟槽内的过渡沟槽导电多晶硅与源极金属层欧姆接触; 还包括与所有引出区引出沟槽端部适配连接的引出区引出连接沟槽,引出区引出沟槽的两端分别与引出区引出连接沟槽以及相应元胞内一侧的元胞外围沟槽连接; 引出区过渡沟槽与两侧引出区引出沟槽间的水平距离均为L1、引出区过渡沟槽的第一端与一元胞正对应,且引出区过渡沟槽的第一端与所正对应元胞之间的竖直方向距离为L2,引出区过渡沟槽的第二端与引出区引出连接沟槽内侧的竖直方向距离为L3,且距离L1、距离L2与距离L3相等。
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