西安电子科技大学张涛获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利具有混合P型材料欧姆阴极的横向肖特基势垒二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114597266B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210037578.9，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权具有混合P型材料欧姆阴极的横向肖特基势垒二极管是由张涛;李若晗;段小玲;张进成设计研发完成，并于2022-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有混合P型材料欧姆阴极的横向肖特基势垒二极管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有混合P型材料欧姆阴极的横向肖特基势垒二极管，包括：从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、帽层；其中，帽层的右上方设有一P型阴极岛结构；P型阴极岛结构的右侧和器件的左侧分对应设置有阴极凹槽和阳极凹槽；阴极凹槽内的沟道层上设置阴电极，P型阴极岛结构上表面设有阴极板，阴极板与阴电极相连接，以形成混合P型材料欧姆阴极；阳极凹槽内的沟道层上设置有阳电极；在帽层上表面，凹槽阳极附近一定长度范围内设置有与阳电极相连的阳极场板；阳极场板与P型阴极岛之间的帽层上覆盖有一层钝化层。本发明提供的二极管对抑制电流崩塌有显著的作用，改善了器件的动态导通电阻退化现象。
本发明授权具有混合P型材料欧姆阴极的横向肖特基势垒二极管在权利要求书中公布了：1.一种具有混合P型材料欧姆阴极的横向肖特基势垒二极管，其特征在于，包括：从下至上依次层叠设置的衬底1、成核层2、缓冲层3、沟道层4、势垒层6、帽层7；其中， 所述帽层7的右上方设有一P型阴极岛结构8； 所述P型阴极岛结构8的右侧和器件的左侧分对应设置有阴极凹槽和阳极凹槽，所述阴极凹槽和所述阳极凹槽均起始于所述帽层7上表面，并向下延伸至所述沟道层4内； 所述阴极凹槽内的沟道层4上设置阴电极9，所述P型阴极岛结构8上表面设有阴极板10，所述阴极板10与所述阴电极9相连接，以形成混合P型材料欧姆阴极； 所述阳极凹槽内的沟道层4上设置有阳电极11；在所述帽层7上表面，所述阳电极11附近一定长度范围内设置有与所述阳电极11相连的阳极场板12； 所述阳极场板12与所述P型阴极岛结构8之间的帽层7上覆盖有一层钝化层13。
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