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龙图腾网获悉灿芯半导体(上海)股份有限公司申请的专利一种逐次逼近型ADC的电容校准方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114401006B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210014377.7，技术领域涉及：H03M1/10；该发明授权一种逐次逼近型ADC的电容校准方法是由林志伦;岳庆华;刘亚东;庄志青设计研发完成，并于2022-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种逐次逼近型ADC的电容校准方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种逐次逼近型ADC的电容校准方法，包括：以理想电容的数字权重初始化开关电容模块中所有待校准电容的差分模式数字权重和单端模式数字权重；依次获取各待校准电容的差分模式下的实际数字权重，并赋值给对应所述差分模式数字权重；依次获取各待校准电容的单端模式下的实际数字权重，并赋值给对应所述单端模式数字权重；根据所选的差分模式或单端模式，将各所述差分模式数字权重或各所述单端模式数字权重赋值给各实际最终数字权重；对逐次逼近型ADC的模拟输出信号使用各实际最终数字权重按位相加，得到数字输出信号。本发明能够实现电容的自校准，不需要额外的校准电容阵列。

本发明授权一种逐次逼近型ADC的电容校准方法在权利要求书中公布了：1.一种逐次逼近型ADC的电容校准方法，逐次逼近型ADC包括依次连接的开关电容模块、比较器和SAR逻辑模块，其特征在于，电容校准方法包括： 以理想电容的数字权重初始化所述开关电容模块中所有待校准电容的差分模式数字权重Wi_diff[N:1]和单端模式数字权重Wi_sing[N:1]；其中N表示逐次逼近型ADC的分辨率，i表示电容序号； 依次获取各待校准电容的差分模式下的实际数字权重，并赋值给对应所述差分模式数字权重； 依次获取各待校准电容的单端模式下的实际数字权重，并赋值给对应所述单端模式数字权重； 根据所选的差分模式或单端模式，将各所述差分模式数字权重或各所述单端模式数字权重赋值给各实际最终数字权重； 对逐次逼近型ADC的模拟输出信号使用各实际最终数字权重按位相加，得到数字输出信号； 所述开关电容模块中电容阵列包括依次排列的待校准电容组成的阵列和不需要校准的二进制电容阵列C3；待校准电容组成的阵列包括依次排列的待校准的温度码电容阵列C1和待校准的二进制电容阵列C2； 所述依次获取各待校准电容的差分模式下的实际数字权重，并赋值给对应所述差分模式数字权重，包括： 逐次逼近型ADC开启差分模式； 从最低位开始依次遍历二进制电容阵列C2中每个待校准电容，获取二进制电容阵列C2中每个待校准电容的差分模式下的实际数字权重； 依次遍历温度码电容阵列C1中每个待校准电容，获取温度码电容阵列C1中每个待校准电容的差分模式下的实际数字权重； 将各个待校准电容的差分模式下的实际数字权重赋值给各对应的所述差分模式数字权重； 获取二进制电容阵列C2中某个待校准电容的差分模式下的实际数字权重，包括： 将极性标志位cap_pn置1，P端的该待校准电容置1，N端的该待校准电容置0； 将排在该待校准电容前面的其他未校准电容连接到等效12电位，以此为初始态将排在该待校准电容后面的其他电容正常SAR转换，得到第一模拟输出结果； 将第一模拟输出结果取出正常SAR转换部分，乘上差分模式数字权重Wi_diff[x:1]，得到该待校准电容的第一校准结果；其中x表示正常SAR转换的位数； 将极性标志位cap_pn置0，P端的该待校准电容置0，N端的该待校准电容置1； 将排在该待校准电容前面的其他未校准电容连接到等效12电位，以此为初始态将排在该待校准电容后面的其他电容正常SAR转换，得到第二模拟输出结果； 将第二模拟输出结果取出正常SAR转换部分，乘上差分模式数字权重Wi_diff[x:1]，得到该待校准电容的第二校准结果； 将第一校准结果和第二校准结果相减并取绝对值，得到该待校准电容的差分模式下的实际数字权重，更新到Wi_diff[N:1]的对应位中。

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