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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种MOSFETs栅氧化层陷阱分布的噪声表征方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114355141B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111682008.7，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种MOSFETs栅氧化层陷阱分布的噪声表征方法是由陈华;张彦军;杨济宁;何亮设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MOSFETs栅氧化层陷阱分布的噪声表征方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种MOSFETs的栅氧化层陷阱表征方法，其步骤如下：1测量转移特性提取阈值电压，在线性区测试器件噪声功率谱密度Sid；2根据测量数据绘制双y轴图，判断噪声涨落机理；3计算在某一栅压Vg下栅氧化层的陷阱能量位置分布；4对所有栅压重复步骤3，绘制氧化层陷阱的能量位置分布图。该方法突破了仅用均匀分布或者指数分布表征陷阱随位置分布的局限性，且同时考虑了陷阱位置和能量分布的不均匀性，并通过绘制三维图像，可清晰观察氧化层陷阱随能量位置的分布。

本发明授权一种MOSFETs栅氧化层陷阱分布的噪声表征方法在权利要求书中公布了：1.一种MOSFETs栅氧化层陷阱分布的噪声表征方法，其特征是：包括如下步骤： 1测量样品转移特性曲线并提取阈值电压，设置漏压和栅压使样品处于线性区，测量样品在线性区不同栅压下漏极电流的噪声； 2判断噪声涨落机理；利用测量的数据先绘制双y轴图，双y轴图中x轴为漏电流，两个y轴分别为，，其中，表示跨导；再将双y轴曲线进行比对，若两条曲线的趋势一致，则数涨落为主要噪声机制，进行步骤3）； 3利用噪声数据确定某一栅压下栅氧化层的陷阱能量位置分布； 4绘制所有栅压下氧化层陷阱的能量位置分布图；对所有栅压重复步骤3），得到不同栅压下的，以氧化层陷阱的位置为x轴，陷阱能量距带边的距离为y轴，氧化层陷阱密度为z轴，绘制不同栅压下氧化层陷阱随能量、位置变化的分布图； 步骤1，包括如下步骤： 1.1）测量转移特性曲线； 1.2）根据测量数据画出转移特性曲线，横轴是栅压，纵轴是漏电流，再将对求偏导得到跨导曲线,在跨导曲线最高点做横轴的垂线，在垂线与曲线的相交位置做曲线的切线，该切线与横轴的交点即为阈值电压； 1.3）设置漏压和栅压使MOSFETs处于线性区，固定漏压，分别选取不同的栅压，测量噪声功率谱密度，并记录此时的漏电流； 步骤3），包括如下步骤：利用噪声数据确定某一栅压下栅氧化层的陷阱能量位置分布，包括： 3.1）计算栅压对应的陷阱能量距带边的距离； 3.2）计算栅压下氧化层陷阱密度随位置的变化； 3.3）得到栅压下栅氧化层的能量位置分布；

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