南京工业职业技术大学刘玉玉获国家专利权
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龙图腾网获悉南京工业职业技术大学申请的专利一种基于芴酮衍生物小分子浮栅型有机场效应晶体管存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115249767B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111570288.2，技术领域涉及：H10K10/46；该发明授权一种基于芴酮衍生物小分子浮栅型有机场效应晶体管存储器及其制备方法是由刘玉玉;刘一任;金展翔;许卫锋;凌海峰;周璐;解令海设计研发完成，并于2021-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于芴酮衍生物小分子浮栅型有机场效应晶体管存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于芴酮衍生物小分子浮栅型有机场效应晶体管存储器及其制备方法，该存储器包括由下到上依次设置的衬底、栅电极、栅电极绝缘层、电荷捕获层、半导体层和源漏电极，其中电子捕获层是由芴酮衍生物小分子作为的浮栅层和高介电常数聚合物作为隧穿层和电荷阻挡层组成，本发明所述的场效应晶体管存储器利用结构简单的小分子材料作为浮栅层，实现了双极性存储性能，器件性能稳定，耐受性高，存储密度大，采用的加工工艺简单，可大面积制备，适用于柔性器件的制备，同时降低器件的生产成本，有利于有机场效应晶体管存储器的推广和应用。
本发明授权一种基于芴酮衍生物小分子浮栅型有机场效应晶体管存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于芴酮衍生物小分子浮栅型有机场效应晶体管存储器，该存储器包括由下到上依次设置的衬底、栅电极、栅电极绝缘层、电荷捕获层、半导体层和源漏电极，其特征在于：电子捕获层是由芴酮衍生物小分子和高介电常数聚合物组成的复合薄膜；所述芴酮衍生物小分子为2,7-（9,9-二正丙基芴-2-基）-芴酮；所述高介电常数聚合物为聚苯乙烯、聚乙烯吡咯烷酮中的一种或两种。
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