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龙图腾网获悉夏普株式会社申请的专利有源矩阵基板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114639687B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111519776.0，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权有源矩阵基板是由原健吾;大东彻;菊池哲郎;铃木正彦;西宫节治;高畑仁志设计研发完成，并于2021-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本有源矩阵基板在说明书摘要公布了：一种有源矩阵基板，具备包含多个第1TFT的多个氧化物半导体TFT，各氧化物半导体TFT的氧化物半导体层包含沟道区域、源极接触区域以及漏极接触区域，沟道区域具有相互相对的第1端部和第2端部、位于这两个端部的源极接触区域侧的源极侧端部、以及位于这两个端部的漏极接触区域侧的漏极侧端部，各第1TFT还具有位于氧化物半导体层与基板之间的遮光层，遮光层包含开口区域和遮光区域，当从基板的法线方向观察时，遮光区域包含位于第1端部的第1遮光部和位于第2端部的第2遮光部，第1遮光部和第2遮光部分别具有相互相对的第1缘部和第2缘部，第1缘部的至少一部分与沟道区域重叠，第2缘部位于沟道区域的外侧，不与沟道区域重叠。

本发明授权有源矩阵基板在权利要求书中公布了：1.一种有源矩阵基板，其特征在于，具有： 基板； 多个源极总线和多个栅极总线，其支撑于上述基板；以及 多个氧化物半导体TFT，其支撑于上述基板，各氧化物半导体TFT具有氧化物半导体层、隔着栅极绝缘层配置于上述氧化物半导体层的一部分上的栅极电极、以及源极电极和漏极电极， 上述氧化物半导体层包含沟道区域、电连接到上述源极电极的源极接触区域、以及电连接到上述漏极电极的漏极接触区域， 上述沟道区域是从上述基板的法线方向观察时位于上述源极接触区域与上述漏极接触区域之间并且与上述栅极电极重叠的区域， 当从上述基板的法线方向观察时，上述沟道区域具有： 第1端部和第2端部，其相互相对，并且从上述源极接触区域侧朝向上述漏极接触区域侧在第1方向上延伸； 源极侧端部，其位于上述第1端部和上述第2端部的上述源极接触区域侧，在与上述第1方向交叉的第2方向上延伸；以及 漏极侧端部，其位于上述第1端部和上述第2端部的上述漏极接触区域侧，在上述第2方向上延伸， 上述多个氧化物半导体TFT包含多个第1TFT，各第1TFT还具有位于上述氧化物半导体层与上述基板之间的遮光层， 当从上述基板的法线方向观察时，上述遮光层包含： 开口区域，其与上述沟道区域的一部分重叠；以及 遮光区域，其与上述沟道区域的另一部分重叠， 当从上述基板的法线方向观察时，上述遮光区域包含： 第1遮光部，其在上述沟道区域的上述第1端部上沿着上述第1方向延伸；以及 第2遮光部，其在上述沟道区域的上述第2端部上沿着上述第1方向延伸， 当从上述基板的法线方向观察时，上述第1遮光部和上述第2遮光部分别具有相互相对并在上述第1方向上延伸的第1缘部和第2缘部，上述第1缘部的至少一部分与上述沟道区域重叠，上述第2缘部位于上述沟道区域的外侧，不与上述沟道区域重叠。

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