上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司康晓旭获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请的专利半导体退火设备及其控制方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114171384B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111495304.6,技术领域涉及:H01L21/324;该发明授权半导体退火设备及其控制方法是由康晓旭设计研发完成,并于2021-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体退火设备及其控制方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种半导体退火设备及其控制方法。所述半导体退火设备包括3N个定位部、3N个调整部、移动控制部、第一加热部和第二加热部。3N个所述定位部的每个第二承托结构的自由端靠近所围成的工艺承载区的边缘,增加了目标晶圆的受热面积,以利于同时对所述目标晶圆的正背面进行加热,提高了工艺效率和加热均匀性;相邻第所述二承托结构之间的距离允许所述调整部的第一承托结构通过,设置所述移动控制部控制3N个所述调整部的运动,能够以带动3N个所述第一承托结构进行运动,从而快速调整所述目标晶圆和所述工艺承载区之间的相对位置关系,提高了工艺效率。
本发明授权半导体退火设备及其控制方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体退火设备,其特征在于,包括: 3N个调整部,围成能够容纳目标晶圆的转移承载区,每个所述调整部包括第一承托结构,所述第一承托结构的自由端靠近所述转移承载区的中心; 3N个定位部,围成能够容纳所述目标晶圆的工艺承载区,每个所述定位部包括第二承托结构,所述第二承托结构的自由端靠近所述工艺承载区的边缘,相邻所述第二承托结构之间的距离允许所述第一承托结构通过; 移动控制部,通信连接3N个所述调整部,以带动3N个所述第一承托结构进行运动直至所述转移承载区的中心和所述工艺承载区的中心重合,以及带动3N个所述第一承托结构远离所述工艺承载区; N为大于等于1的正整数。
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