上海新阳半导体材料股份有限公司;上海芯刻微材料技术有限责任公司方书农获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海新阳半导体材料股份有限公司;上海芯刻微材料技术有限责任公司申请的专利一种厚膜光刻胶用氨污染抑制添加剂及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116143965B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111393435.3，技术领域涉及：C08F212/14；该发明授权一种厚膜光刻胶用氨污染抑制添加剂及其制备方法是由方书农;王溯;耿志月设计研发完成，并于2021-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种厚膜光刻胶用氨污染抑制添加剂及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种厚膜光刻胶用氨污染抑制添加剂及其制备方法。具体地，本发明提供了一种由下述通式Ia、Ib和Ic表示的结构单元组成的重均分子量为1000‑50000的无规共聚物，其中结构单元Ia、Ib和Ic的摩尔百分比为：0≤Ia90％，0≤Ib90％，0Ic50％。该无规共聚物可用作氨污染抑制添加剂，将其添加至光刻胶组合物中可防止I‑line和KrF光刻工艺中由大气中的氨和胺污染导致的光刻图形歪曲的问题。
本发明授权一种厚膜光刻胶用氨污染抑制添加剂及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种由下述通式Ia、Ib和Ic表示的结构单元组成的重均分子量为1000-50000的无规共聚物，其特征在于， 其中上述结构单元Ia、Ib和Ic占三者总摩尔量的摩尔百分比为：60％≤Ia75％，0≤Ib20％，20％Ic25％； R1为C1-20烷基-CO-，所述C1-20烷基-CO-任选被一个或多个R1-1取代；每个R1-1独立地为F； R2为C3-10环烷基、C1-20烷基或C1-20烷基-CO-，所述C1-20烷基、C1-20烷基-CO-和C3-10环烷基任选被一个或多个R1-1取代；每个R1-1独立地为F或C1-4烷基； 并且，R1和R2中至少有一个包含F； R3为H。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海新阳半导体材料股份有限公司;上海芯刻微材料技术有限责任公司，其通讯地址为：201616 上海市松江区思贤路3600号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号