中国电子科技集团公司第二十六研究所梅松获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第二十六研究所申请的专利一种曲面电极的微半球陀螺结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114105075B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111340195.0，技术领域涉及：B81B3/00；该发明授权一种曲面电极的微半球陀螺结构及其制备方法是由梅松;杨峰;卢昱瑾;林丙涛;白涛;刘奎设计研发完成，并于2021-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种曲面电极的微半球陀螺结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及微机电系统制造技术领域，特别涉及一种曲面电极的微半球陀螺结构及其制备方法；所述方法包括对微半球谐振子的外表面镀膜，对微半球曲面电极的内外表面镀膜并喷涂光刻胶；采用含光学透镜结构的光刻板与微半球曲面电极的内表面对准，光刻显影并使曲面结构的光刻胶图形化；以光刻胶为掩膜使微半球曲面电极上的金属膜图形化，形成激励检测电极、屏蔽电极、锚点电极；将微半球谐振子与微半球曲面电极同轴对准，将谐振子锚点与曲面电极锚点固化导通，将曲面电极外沿基准面固定在缓冲板上，形成具有曲面电极的微半球陀螺结构；本发明可以有效降低曲面电极制作的工艺难度与成本，且具备更好的热适配性能。
本发明授权一种曲面电极的微半球陀螺结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种曲面电极的微半球陀螺结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 采用火焰吹制石英基片，分别制作出微半球谐振子与微半球曲面电极的三维曲面结构；所述微半球谐振子中心设置有谐振子锚点，所述微半球曲面电极中心设置有曲面电极锚点；所述微半球曲面电极球边缘设置有曲面电极外沿基准面； 对微半球谐振子的外表面镀膜，对微半球曲面电极的内外表面镀膜并喷涂光刻胶； 采用含光学透镜结构的光刻板与微半球曲面电极的内表面对准，光刻显影并使曲面结构的光刻胶图形化； 以光刻胶为掩膜使微半球曲面电极上的金属膜图形化，形成激励检测电极、屏蔽电极、锚点电极； 将微半球谐振子与微半球曲面电极同轴对准，将谐振子锚点与曲面电极锚点固化导通，将曲面电极外沿基准面固定在缓冲板上，形成具有曲面电极的微半球陀螺结构。
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