长江先进存储产业创新中心有限责任公司彭文林获国家专利权
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龙图腾网获悉长江先进存储产业创新中心有限责任公司申请的专利相变存储器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113871531B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111328779.6，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权相变存储器及其制作方法是由彭文林;刘峻;杨海波;刘广宇;付志成设计研发完成，并于2021-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本相变存储器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种相变存储器及其制作方法，相变存储器包括：沿纵向依次堆叠的P型相变材料层、N型热电材料层和选通层；P型相变材料层、N型热电材料层，及选通层外接电源以组成闭合回路，选通层具有开启状态和关闭状态；选通层开启时，P型相变材料层和N型热电材料层的接触界面为电子制冷模式。本实施例通过将P型相变材料层和N型热电材料层组成回路，回路中产生一个相应的电流，电流流过P型相变材料层和N型热电材料层的接触区域时，接触区域的热量会被吸收，产生制冷现象，从而降低读取时相变存储单元界面处的温度，减少读脉冲对相变存储单元的扰动，降低相变存储单元读取误差值，避免存储信息的丢失。
本发明授权相变存储器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种相变存储器，其特征在于，包括： 相变存储单元，所述相变存储单元包括沿纵向依次堆叠的P型相变材料层、N型热电材料层和选通层；其中，所述P型相变材料层、所述N型热电材料层，及所述选通层外接电源以组成闭合回路，所述选通层具有开启状态和关闭状态；所述选通层开启时，所述P型相变材料层和所述N型热电材料层的接触界面为电子制冷模式； 所述N型热电材料层包括Bi2Te3、Sb2Te3和Bi2Se3中的一种或两种以上的组合以及SnSe；在所述SnSe中掺杂有Bi、Ti、Pb中的一种或两种以上的组合，形成N型SnSe。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长江先进存储产业创新中心有限责任公司，其通讯地址为：430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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