中国科学院微电子研究所高澎铮获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种基于光源添加辅助图形的方法和装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114089595B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111322037.2,技术领域涉及:G03F1/00;该发明授权一种基于光源添加辅助图形的方法和装置是由高澎铮;韦亚一;张利斌设计研发完成,并于2021-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于光源添加辅助图形的方法和装置在说明书摘要公布了:本发明涉及一种基于光源添加辅助图形的方法和装置,属于半导体技术领域,解决了现有基于规则的亚分辨率辅助图形无法适应光源因素的改变而导致的辅助图形添加不合理问题。该方法包括:获取基准光源的光源信息和与基准光源相对应的辅助图形添加规则列表;当光刻光源的光源信息不同于基准光源的光源信息时,基于光刻光源的光源信息修改辅助图形添加规则,以生成与光刻光源相对应的修改后的辅助图形添加规则列表;以及根据修改后的辅助图形添加规则列表获取用于版图的辅助图形添加规则并根据用于版图的辅助图形添加规则将待添加的辅助图形添加至版图中。降低了亚分辨率辅助图形添加的复杂性。
本发明授权一种基于光源添加辅助图形的方法和装置在权利要求书中公布了:1.一种基于光源添加辅助图形的方法,其特征在于,包括: 获取基准光源的光源信息和与所述基准光源相对应的辅助图形添加规则列表,其中,所述辅助图形是亚分辨率辅助图形; 当光刻光源的光源信息不同于所述基准光源的光源信息时,基于所述光刻光源的光源信息修改辅助图形添加规则,以生成与所述光刻光源相对应的修改后的辅助图形添加规则列表,其中,所述光刻光源的光源信息包括光源的形状分布、光源的sigma、光源的强度分布、光源的数值孔径和光源的偏振方向,基于所述光刻光源修改所述亚分辨率辅助图形添加规则进一步包括:根据基于所述光刻光源的形状分布修改所述亚分辨率辅助图形的分布和对称性;根据所述光刻光源的sigma变化对所述辅助图形添加规则赋于修改权重或倍率;根据所述光刻光源的强度分布对不同特征图形的辅助图形添加规则进行修改;根据所述光刻光源的数值孔径对所述辅助图形添加规则进行倍率修改;以及根据所述光刻光源的偏振方向对不同方向的辅助图形添加规则进行修改;以及 根据修改后的辅助图形添加规则列表获取用于版图的辅助图形添加规则并根据用于版图的辅助图形添加规则将待添加的辅助图形添加至所述版图中。
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