绍兴中芯集成电路制造股份有限公司杨凌辉获国家专利权
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龙图腾网获悉绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利一种避免单面化学镀漏液的方法及半导体器件制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242562B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111300105.5，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种避免单面化学镀漏液的方法及半导体器件制造方法是由杨凌辉;黎哲;邓方圆;吴荣成;刘晗设计研发完成，并于2021-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种避免单面化学镀漏液的方法及半导体器件制造方法在说明书摘要公布了：本发明针对采用Taiko工艺减薄后的晶圆需进行单面化学镀而设计，主要目的是避免单面化学镀环节发生漏液问题，涉及避免单面化学镀漏液的方法及半导体器件制造方法，是将形成Taiko环的晶圆装载于固定架上，令Taiko环所在面粘附在固定架中部的装载膜上，装载膜外圈用刚性支撑环固定；对固定好的晶圆进行环切，去除晶圆上的Taiko环，然后将环切后仍装载于固定架上的晶圆与固定架一起放入镀液中进行单面化学镀。本发明相较于现有单面化学镀工艺方法，省去了化学镀之前贴膜及化学镀之后的揭膜工序，将原有工艺中化学镀后的环切提前到化学镀前进行，消除了Taiko环带来的漏液影响，令工艺简化，提升了产品外观及应用可靠性。
本发明授权一种避免单面化学镀漏液的方法及半导体器件制造方法在权利要求书中公布了：1.一种避免单面化学镀漏液的方法，其特征在于，包括：将形成Taiko环的晶圆装载于固定架上，令Taiko环所在面粘附在固定架中部的装载膜上，装载膜外圈用刚性支撑环固定；对固定好的晶圆进行环切，去除晶圆上的Taiko环，然后将环切后仍装载于固定架上的晶圆与固定架一起放入镀液中进行单面化学镀。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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