上海华力微电子有限公司刘涛获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利NAND闪存器件及NAND闪存的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114005832B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111266556.1，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权NAND闪存器件及NAND闪存的制作方法是由刘涛设计研发完成，并于2021-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本NAND闪存器件及NAND闪存的制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种NAND闪存的制作方法，包括：提供衬底，并在所述衬底上形成有至少两个浮栅层，相邻浮栅层之间设置有开口，所述浮栅层上形成有第一侧墙，所述第一侧墙覆盖所述浮栅层的侧壁和顶部；形成控制栅材料层，所述控制栅材料层填充所述开口并覆盖所述第一侧墙；对控制栅材料层进行刻蚀工艺，以形成控制栅层，并且所述浮栅层处形成浮栅层残留物；进行原子层沉积氧化工艺，以形成第一氧化层，所述第一氧化层覆盖控制栅层和开口；进行快速热氧化工艺，以形成第二氧化层，快速热氧化工艺的工艺气体穿透第一氧化层去除浮栅层残留物。解决了控制栅刻蚀过程中，浮栅的残留物导致相邻浮栅短路以及漏电的问题。
本发明授权NAND闪存器件及NAND闪存的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种NAND闪存的制作方法，其特征在于，包括： 提供衬底，并在所述衬底上形成有至少两个浮栅层，相邻所述浮栅层之间设置有开口，所述浮栅层上形成有第一侧墙，所述第一侧墙覆盖所述浮栅层的侧壁和顶部； 形成控制栅材料层，所述控制栅材料层填充所述开口并覆盖所述第一侧墙； 对所述控制栅材料层进行刻蚀工艺，以形成控制栅层，并且所述浮栅层处形成浮栅层残留物； 进行原子层沉积氧化工艺，以形成第一氧化层，所述第一氧化层覆盖所述控制栅层和所述开口； 进行快速热氧化工艺，以形成第二氧化层，所述快速热氧化工艺的工艺气体穿透所述第一氧化层以去除所述浮栅层残留物。
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