长江存储科技有限责任公司张明康获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113871390B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111133542.2，技术领域涉及：H10B41/50；该发明授权三维存储器及其形成方法是由张明康;肖亮设计研发完成，并于2021-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种三维存储器及其形成方法，该三维存储器包括：第一半导体层，包括隔离结构，隔离结构包括非晶硅；至少一个第一贯穿触点，设于所述第一半导体层内，其中，所述隔离结构在其周向上包围所述第一贯穿触点；以及堆叠结构，位于所述第一半导体层上。本申请提供的三维存储器的隔离结构在其径向上的宽度可大于第一贯穿触点和隔离层在相同方向的尺寸之和，能够降低第一贯穿触点与邻近器件的寄生电容。
本发明授权三维存储器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.三维存储器，其特征在于，包括： 第一半导体层，包括隔离结构，所述隔离结构包括非晶硅； 至少一个第一贯穿触点，设于所述第一半导体层内，其中，所述隔离结构在其周向上包围所述第一贯穿触点；以及， 堆叠结构，位于所述第一半导体层上，所述堆叠结构包括与所述隔离结构对应的第一区域，所述第一区域内设有延伸至所述第一半导体层中的至少一个第二贯穿触点，其中，所述第二贯穿触点与所述第一贯穿触点同向设置且二者的端部相互接触。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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