夏普半导体创新株式会社;国立大学法人东北大学大山茂郎获国家专利权
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龙图腾网获悉夏普半导体创新株式会社;国立大学法人东北大学申请的专利存储装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114333967B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111121814.7,技术领域涉及:G11C29/42;该发明授权存储装置是由大山茂郎;远藤哲郎设计研发完成,并于2021-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储装置在说明书摘要公布了:一种存储装置,包括能够保持数据的存储单元,以及能够生成校正码并基于所述校正码检测错误的ECC电路。通过流水线操作访问所述存储单元。所述流水线操作包括至少四个流水线阶段,包括:从所述存储单元读取数据的读周期、在ECC电路中针对所述存储单元执行所述校正码的生成或错误检测的ECC周期、期间不执行针对与所述存储单元有关的数据的处理的等待周期、以及将数据写入所述存储单元的写周期。
本发明授权存储装置在权利要求书中公布了:1.一种存储装置,包括: 存储单元,其能够保持数据; ECC电路,其能够生成校正码并基于所述校正码检测错误; 至少两个或更多个地址缓冲器; 写入数据缓冲器,能够将写入数据保持在所述存储单元中; 读取数据缓冲器,能够保持来自所述存储单元的读取数据; 第一信号路径,所述第一信号路径能够将数据从所述读取数据缓冲器传送到所述写入数据缓冲器;和 第二信号路径,所述第二信号路径能够将数据从所述写入数据缓冲器传送到所述读取数据缓冲器, 其中,所述存储单元通过流水线操作来访问,并且所述流水线操作包括至少四个流水线阶段,所述四个流水线阶段包括: 读周期,其从所述存储单元读取数据, ECC周期,在所述ECC电路中针对所述存储单元执行所述校正码的生成或错误检测, 等待周期,在所述等待周期期间不执行对与所述存储单元有关的数据的处理,以及 写周期,将数据写入所述存储单元, 所述地址缓冲器包括: 写入地址缓冲器,所述写入地址缓冲器能够保持在写入数据的操作期间从外部接收的所述存储单元的地址,以及 读取地址缓冲器,能够保持在读取数据的操作期间从外部接收的所述存储单元的地址。
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