株式会社国际电气宫田翔马获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社国际电气申请的专利半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334605B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111101866.8，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置及存储介质是由宫田翔马;中谷公彦;早稻田崇之;中川崇;出贝求设计研发完成，并于2021-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置及存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置及存储介质，即提高选择生长的选择性的技术。具有以下工序：a对在表面露出了第一基底和第二基底的基板供给第一改性剂及第二改性剂，从而使所述第一基底的表面改性的工序，其中该第一改性剂包含一个以上的直接键合有第一官能团和第二官能团的原子，该第二改性剂包含直接键合有所述第一官能团和所述第二官能团的原子且一个分子中所含的所述第一官能团的数量比所述第一改性剂的一个分子中所含的所述第一官能团的数量少；以及b对使所述第一基底的表面进行了改性之后的所述基板供给成膜气体，从而在所述第二基底的表面上形成膜的工序。
本发明授权半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种基板处理方法，其特征在于，具有： 工序a，通过非同时地依次进行工序a1、工序a3和工序a2而使第一基底的表面改性，该工序a1是对在表面具有所述第一基底和第二基底的基板供给第一改性剂的工序，该第一改性剂包含一个以上的直接键合有包含氨基或者取代氨基的第一官能团和包含烃基的第二官能团的原子，该工序a3是对所述基板供给含有氧和氢的物质的工序，该工序a2是对所述基板供给第二改性剂的工序，该第二改性剂包含直接键合有所述第一官能团和所述第二官能团的原子且一个分子中所含的所述第一官能团的数量比所述第一改性剂的一个分子中所含的所述第一官能团的数量少；以及 工序b，对使所述第一基底的表面进行了改性之后的所述基板供给成膜气体，从而在所述第二基底的表面上形成膜。
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