株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社藤原泰幸获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114204926B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111001568.1，技术领域涉及：H03K17/687；该发明授权半导体装置是由藤原泰幸;刘一尧;佐藤裕介;加古直嗣;间岛秀明设计研发完成，并于2021-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：实施方式的半导体装置是使常通驱动的第1晶体管进行常断驱动的半导体装置，具有第1电路、第2电路和第1二极管。第1电路与电源电压和接地电压连接，检测所述电源电压，输出所述电源电压的转变状态。第2电路与所述电源电压、所述接地电压、所述第1电路和所述第2晶体管连接，基于所述第1电路的输出，输出与所述第1晶体管串联连接的第2晶体管的驱动电压。第1二极管的阳极连接于第1晶体管的驱动端子，阴极连接于第2晶体管的输出端子。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，使常通驱动的第1晶体管进行常断驱动，其中， 具有： 第1电路，连接于电源电压和接地电压，检测所述电源电压，并输出所述电源电压的转变状态； 第2电路，连接于所述电源电压、所述接地电压、所述第1电路和第2晶体管，并基于所述第1电路的输出来输出与所述第1晶体管串联连接的第2晶体管的驱动电压；以及 第1二极管，阳极连接于所述第1晶体管的驱动端子，阴极连接于所述第2晶体管的输出端子， 所述第1电路具备： 第1电阻，连接于所述电源电压； 作为齐纳二极管的第2二极管，阳极连接于所述接地电压，阴极经由所述第1电阻而连接于所述电源电压； 第3晶体管，栅极连接于所述第2二极管的阴极，源极连接于所述电源电压；以及 第2电阻，配置于所述第3晶体管的漏极与所述接地电压之间， 所述第2电路具备： 第4晶体管，栅极连接于所述第3晶体管的漏极，源极连接于所述电源电压，漏极连接于所述第2晶体管的栅极；以及 第3电阻，配置于所述第4晶体管的漏极与所述接地电压之间。
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