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龙图腾网获悉宁波铼微半导体有限公司申请的专利具有混合栅电极结构的氮化镓常关型器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113838930B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110956607.7，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权具有混合栅电极结构的氮化镓常关型器件及其制备方法是由蒲涛飞;李柳暗;敖金平设计研发完成，并于2021-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有混合栅电极结构的氮化镓常关型器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有混合栅电极结构的氮化镓常关型器件及其制备方法，该器件包括：依次设置于衬底层上的缓冲层、GaN沟道层、AlGaN层、P‑GaN帽层；设置于AlGaN层上的两个欧姆电极；设置于P‑GaN帽层上及P‑GaN帽层两侧的栅介质层；设置于欧姆电极与P‑GaN帽层两侧的栅介质层之间AlGaN层上的钝化层；设置于栅介质层上和填充栅介质层凹槽内的栅电极；其中，P‑GaN帽层上栅介质层上的栅电极和填充于若干凹槽内的栅电极构成MIS栅电极结构和肖特基栅电极结构的混合栅结构；P‑GaN帽层两侧的栅介质层上的栅电极和P‑GaN帽层两侧的栅介质层构成场板结构。本发明提高了器件栅电极的阈值电压，提高了器件的开关频率，同时提升了器件栅电极的长期可靠性。

本发明授权具有混合栅电极结构的氮化镓常关型器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有混合栅电极结构的氮化镓常关型器件，其特征在于，包括：衬底层；依次设置于衬底层上的缓冲层、GaN沟道层和AlGaN层； 设置于所述AlGaN层上的P-GaN帽层和两个欧姆电极；其中，所述两个欧姆电极分别设置于所述AlGaN层上表面的两端，所述P-GaN帽层设置于所述两个欧姆电极之间； 设置于所述P-GaN帽层上及所述P-GaN帽层两侧的栅介质层；其中，所述P-GaN帽层上的栅介质层上设置有若干间隔分布的凹槽，每个所述凹槽贯穿所述栅介质层至所述P-GaN帽层上表面； 设置于所述AlGaN层之上的钝化层，且所述钝化层位于所述欧姆电极与所述P-GaN帽层两侧的栅介质层之间； 设置于所述栅介质层上、填充于若干所述凹槽内的栅电极；其中，所述P-GaN帽层上的栅介质层上的栅电极和填充于若干所述凹槽内的栅电极构成MIS栅结构和肖特基栅结构周期排列的混合栅电极结构，所述P-GaN帽层两侧的栅介质层上的栅电极和所述P-GaN帽层两侧的栅介质层构成场板结构；在同一栅电极内集成了周期性分布的MIS栅结构和肖特基栅结构，利用MIS栅结构提高了器件栅电极的阈值电压，结合肖特基栅结构的高电容高跨导的特性，使得实际操作中器件栅电极的阈值电压达到了3V。

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