印能科技股份有限公司洪誌宏获国家专利权
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龙图腾网获悉印能科技股份有限公司申请的专利利用增加气体密度抑制材料翘曲的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114843204B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110931498.3，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权利用增加气体密度抑制材料翘曲的方法是由洪誌宏设计研发完成，并于2021-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本利用增加气体密度抑制材料翘曲的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种利用增加气体密度抑制材料翘曲的方法，其步骤主要包括a将多个半导体组件置入一处理腔室内；b使该处理腔室内的温度上升至一第一预定温度，同时输入气体使压力上升至一预定压力，让该处理腔室笼罩在高温及高压的工作环境中，在该第一预定温度及该预定压力的状态下，进行一等温等压处理过程，通过高压气体提升温度分布的均匀性；c使该处理腔室内的温度由该第一预定温度降低至一第二预定温度，同时继续对该处理腔室输入气体，使该处理腔室维持在该预定压力，对各该半导体组件进行一降温等压处理过程，从而能抑制各该半导体组件发生翘曲。
本发明授权利用增加气体密度抑制材料翘曲的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用增加气体密度抑制材料翘曲的方法，其特征在于，其步骤包括： a将多个半导体组件置入一处理腔室内； b使该处理腔室内的温度上升至一第一预定温度，同时向该处理腔室内输入至少一气体，使该处理腔室内的压力上升至一预定压力，让该处理腔室笼罩在高温及高压的工作环境中，在该第一预定温度及该预定压力的状态下，对各该半导体组件进行一等温等压处理过程，通过高压气体提升该处理腔室内气体温度分布的均匀性； c使该处理腔室内的温度由该第一预定温度以至少一预定速率降低至一第二预定温度，同时继续对该处理腔室输入至少一该气体，使该处理腔室维持在该预定压力，对各该半导体组件进行一降温等压处理过程，通过提升气体温度分布的均匀性及减少各该半导体组件各层材料间因压差而产生应力及产生振动现象，从而能抑制各该半导体组件发生翘曲。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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