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龙图腾网获悉樊军歌;刘禹超申请的专利一种雷达隐身方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113501526B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110843715.3，技术领域涉及：C01B32/991；该发明授权一种雷达隐身方法是由刘小秦设计研发完成，并于2021-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种雷达隐身方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种雷达隐身方法。主要是为解决目前用玻璃纤维加强聚酯树脂复合材料涂敷在低速运动武器平台表面实现雷达隐身，这种材料不能耐受高温，对高速运动的武器不合适的问题而发明的。以三氟化硼、甲烷、氢气为原料，氦为载气，生产碳化硼纳米颗粒。以三氟化硼、氨、氢气为原料，氦为载气，生产氮化硼纳米颗粒。以高纯碳化硅为原料，以氦为载气，生产碳化硅纳米颗粒。以高纯硅粉和高纯氮气为原料，以高纯氮气为载气，生产氮化硅纳米颗粒。用等离子喷镀法将上述碳化硼、碳化硅、氮化硼、氮化硅四种纳米颗粒以各种组合方式，在目标物表面喷镀一层至数层。优点是隐身性能优异，适合于高速运动武器平台的雷达隐身。

本发明授权一种雷达隐身方法在权利要求书中公布了：1.一种雷达隐身方法，其特征是： 以三氟化硼（BF3）、甲烷（CH4）、氢气为原料，氦为载气，生产碳化硼（B4C）纳米颗粒； 以三氟化硼（BF3）、氨、氢气为原料，氦为载气，生产氮化硼（BN）纳米颗粒； 以外购高纯碳化硅为原料，以氦为载气，生产碳化硅纳米颗粒； 以高纯硅粉和高纯氮气为原料，以高纯氮气为载气，生产氮化硅（Si3N4）纳米颗粒； 一、碳化硼纳米颗粒的制备方法：将辅助气体He、H2先后导入等离子体发生器，开启等离子体发生电源，形成等离子体射流，再与三氟化硼和甲烷气体一起进入等离子反应器，在等离子反应器中形成等离子态富集硼-10碳化硼和气态氟化氢（HF），等离子态富集硼-10碳化硼（10B4C）在等离子反应器的器壁上冷凝生成富集硼-10碳化硼（10B4C）纳米颗粒，所述纳米颗粒粒径为20纳米-70纳米，刮料板将富集硼-10碳化硼粉末从器壁刮落，由螺杆输送机输送进旋风分离产品罐中，等离子反应器中产生的氟化氢气体以及未反应的甲烷、氢气、氦气经旋风分离产品罐与产品碳化硼颗粒分离后，从旋风分离产品罐顶部出来进入吸收塔，上述气体中的氟化氢被吸收塔中的水吸收，随釜液去水处理装置，甲烷、氢气、氦气则从吸收塔顶出来，经干燥器干燥脱水，由压缩机压缩返回到等离子体发生器，循环使用，等离子体发生电源频率为600MHZ—1.45GHZ，利用高频电源给感应线圈通电，等离子反应器压力为-0.095MPa—0.15MPa；等离子反应器内反应温度为1600—1750℃； 二、氮化硼纳米颗粒的生产方法： 以三氟化硼、氨气、氢气为原料，以氦气为载气，将氢气与氦气先后导入等离子体发生器中，开启等离子体发生电源，形成等离子体射流，再与三氟化硼、氨气一起进入等离子反应器，在等离子反应器中生成等离子态氮化硼和气态氟化氢，等离子态氮化硼在等离子变压器冷却壁上激冷，沉积形成纳米氮化硼颗粒；所述纳米颗粒粒径为20纳米-70纳米，氮化硼纳米颗粒经螺杆输送刮板机收集输送进旋风分离产品罐中，不凝尾气从旋风分离产品罐顶部出来进入吸收塔，上述气体中的氟化氢和氨气被吸收塔中的水吸收，随釜液去水处理装置，氢气、氦气则从吸收塔顶出来，经干燥器干燥脱水，由压缩机压缩返回到静态混合器，循环使用，等离子反应器压力为-0.095MPa—0.15MPa；等离子体发生电源频率为600MHZ—1.45GHZ，等离子反应器内反应温度为1600—1800℃； 三、碳化硅纳米颗粒的生产方法； 以高纯度碳化硅为原料，氦气为载气，对微米级碳化硅颗粒先进行加热、气化的预处理，所述预处理在一个等离子体预加热器中进行，采用气流输送，将碳化硅颗粒送入上述等离子体预加热器中，碳化硅颗粒在等离子体预加热器中被加热至气态，碳化硅气体与氦气一起进入等离子反应器，碳化硅气体发生电离，再次组合成等离子状态的碳化硅，等离子状态的碳化硅在等离子反应器冷却壁上激冷，形成粒径为20纳米—70纳米的碳化硅纳米颗粒，碳化硅纳米颗粒经螺杆输送刮板机收集输送进旋风分离产品罐中，不凝尾气为氦气，氦气从旋风分离产品罐顶部出来经吸收塔、干燥器、压缩机回到等离子预加热器作为气流输送的载气，等离子体预加热器的频率为600MHZ—1.45GHZ，等离子体预加热器出口温度为2700℃—2900℃；等离子反应器的等离子体发生电源频率为600MHZ—1.45GHZ，反应温度为3250—3500℃； 四、氮化硅（Si3N4）纳米颗粒的生产方法； 以高纯度硅粉和高纯氮气为原料，高纯氮气同时兼做载气，利用氮气作为气流输送载体和加热载气，将所述硅粉送入等离子体预加热器中，硅粉在等离子体预加热器中加热气化，硅气体与氮气一起进入等离子反应器，气体硅和氮气发生电离，组合成等离子状态的氮化硅，等离子状态的氮化硅在等离子反应器冷却壁上激冷，形成粒径为20纳米—70纳米的氮化硅纳米颗粒，氮化硅纳米颗粒经螺杆输送刮板机收集输送进旋风分离产品罐中，不凝尾气为氮气，氮气从旋风分离产品罐顶部出来经吸收塔、干燥器、压缩机回到等离子预加热器作为气流输送的载气，所述的等离子体预加热器的频率为600MHZ—1.45GHZ，等离子体预加热器出口温度为2500℃—2800℃，等离子反应器的等离子体发生电源频率为600MHZ—1.45GHZ，反应温度为3000—3300℃； 利用等离子喷镀技术，将碳化硼、氮化硼、碳化硅、氮化硅的纳米颗粒分别送入等离子射流机中，使之软化，再将这种粒子高速喷射到经打磨处理的工件基体上，形成纳米无机颗粒的镀层； 将上述四种无机物纳米颗粒进行任意组合，在目标物表面形成复合镀层。

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