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龙图腾网获悉硅晶体有限公司申请的专利具有用于减少裂缝的最佳晶面取向的碳化硅晶体衬底及其生产方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113957532B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110826438.5，技术领域涉及：C30B29/36；该发明授权具有用于减少裂缝的最佳晶面取向的碳化硅晶体衬底及其生产方法是由迈克尔·沃格尔;欧文·施密特;阿恩德-迪特里希·韦伯;拉尔夫-乌韦·巴尔茨;多米尼克·巴恩斯巴赫设计研发完成，并于2021-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有用于减少裂缝的最佳晶面取向的碳化硅晶体衬底及其生产方法在说明书摘要公布了：本发明涉及具有用于减少裂缝的最佳晶面取向的碳化硅晶体衬底及其生产方法，尤其提供了一种其晶体结构的特定取向设定为减少或者甚至消除机械加工期间裂纹或裂缝的出现的单晶4H‑SiC半成品及其生产方法。该具有纵向轴线和平行于所述纵向轴线的至少部分弯曲的侧表面的单晶4H‑SiC衬底的特征在于，4H‑SiC衬底的晶体结构相对于纵向轴线取向，使得在半成品的侧表面上的每个位置都有这样的线段，该线段与每单位长度上至少预定最小数量的{1010}型的平行解理面相交，其中所述线段由在所述位置处与侧表面相切的平面限定。

本发明授权具有用于减少裂缝的最佳晶面取向的碳化硅晶体衬底及其生产方法在权利要求书中公布了：1.一种生产具有提高的抗解理机械鲁棒性的单晶4H-SiC衬底的方法，所述单晶4H-SiC衬底具有衬底轴线和平行于所述衬底轴线的至少部分弯曲的侧表面，所述方法包括： 执行设定所述4H-SiC衬底上的4H-SiC晶体结构相对于所述衬底轴线的预定取向的过程，使得在所述4H-SiC衬底的所述侧表面上的每个位置处都有这样的线段，所述线段与每毫米线段长度上的至少预定最小数量的{1010}型的平行解理面相交， 其中，所述线段平行于所述衬底轴线， 4H-SiC晶体结构的基面的主轴线相对于所述衬底轴线朝着[1120]方向倾斜第一倾斜角， 所述第一倾斜角为4°，容差为±0.5°；和 所述4H-SiC晶体结构的所述基面的主轴线相对于所述衬底轴线朝着[1100]方向或者[1100]方向倾斜第二倾斜角，并且 所述第二倾斜角为选自区间[0.015°；0.153°]的值，使得 所述4H-SiC晶体结构的所述预定取向使得所述预定最小数量的{1010}型的平行解理面为每毫米线段长度上至少1000个平面， 与所述线段相交的平行解理面1100的数量为每毫米线段长度上小于10000个平行解理面，并且 所述第二倾斜角的值是基于所述4H-SiC衬底的晶格的平行解理面之间的距离并参考每毫米线段长度上至少预定最小数量的平行解理面来估计的，并且这些解理面的解理效应旨在最小化， 其中，所述方法还包括： 在从4H-SiC半成品切割出所述单晶4H-SiC衬底之后，通过执行角度测量来确定所述4H-SiC衬底中的4H-SiC晶体结构相对于所述4H-SiC衬底的正面的晶向，所述4H-SiC半成品是取向后的晶体圆柱体，并且具有被选择的高度以产生所需数量的单晶4H-SiC衬底切片； 如果所确定的晶向偏离了相对于所述4H-SiC衬底的衬底轴线的预定取向，则对所述4H-SiC衬底进行空间取向，使得所述4H-SiC晶体结构的基面的主轴线相对于所述衬底轴线朝着[1120]方向倾斜所述第一倾斜角，并且所述4H-SiC晶体结构的基面的主轴线相对于所述衬底轴线朝着[1100]方向或朝着[1100]方向倾斜所述第二倾斜角； 参考对准轴线加工被空间取向的4H-SiC衬底的外表面，以形成以下中的至少一者： 基本上平行于所述对准轴线的所述至少部分弯曲的侧表面，并且 基本上正交于所述对准轴线的至少一个正面； 其中，加工后的所述4H-SiC衬底的衬底轴线基本上对应于或平行于用于所述4H-SiC晶体结构的空间取向的所述对准轴线。

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