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龙图腾网获悉中国科学院西安光学精密机械研究所申请的专利一种应用于高功率光源芯片的面阵喷射降压强化散热装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113285008B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110557623.9，技术领域涉及：H10H20/858；该发明授权一种应用于高功率光源芯片的面阵喷射降压强化散热装置是由陈琅;李特;王贞福;于学成设计研发完成，并于2021-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用于高功率光源芯片的面阵喷射降压强化散热装置在说明书摘要公布了：本发明的目的是解决在满足现有散热装置的散热能力前提下，如何降低散热装置内部压强的问题，而提供一种应用于高功率光源芯片的面阵喷射降压强化散热装置。该散热装置包括自上而下相互层叠设置的上密封叠片、上冷却叠片、导流叠片、下冷却叠片和下密封叠片。导流叠片上设置有面阵喷射结构，面阵喷射结构由N×M个喷射孔组成，其中N为列，M为行；上冷却叠片的第四镂空微结构内，与面阵喷射结构相对应的位置设有热量导引片，热量导引片采用铜或金刚石或碳化硅制作，包括X个的筋条，X个的筋条构成X+1个微型通道，每个筋条与其相邻筋条的距离相等；最外侧微型通道的宽度大于内侧。面阵喷射结构用于降压，热量导引片用于补偿面阵喷射结构的温升。

本发明授权一种应用于高功率光源芯片的面阵喷射降压强化散热装置在权利要求书中公布了：1.一种应用于高功率光源芯片的面阵喷射降压强化散热装置，包括自上而下相互层叠设置的上密封叠片1、上冷却叠片2、导流叠片3、下冷却叠片4和下密封叠片5； 所述下密封叠片5上设置相互隔离的第一入水口6和第一出水口7； 所述下冷却叠片4上设置相互隔离的第一镂空微结构8和第二镂空微结构9；所述第一镂空微结构8的位置对应于第一入水口6；所述第一镂空微结构8内设有由若干个筋板构成的冷却通道10；所述第二镂空微结构9的位置对应于第一出水口7； 所述导流叠片3上设置相互隔离的第二入水口11、第三镂空微结构12与导流结构；所述第二入水口11的位置对应于第一镂空微结构8；所述导流结构的位置对应于若干个冷却通道10； 所述上冷却叠片2上设有相互隔离的第三入水口14、第二出水口15、第四镂空微结构16；所述第三入水口14与第二出水口15的位置分别对应于第二入水口11、第三镂空微结构12； 所述上密封叠片1上设置相互隔离第四入水口18与第三出水口19，其位置分别对应于第三入水口14与第二出水口15； 其特征在于： 所述导流结构为面阵喷射结构13；所述面阵喷射结构13由N×M个喷射孔组成，其中N为列，M为行；所述面阵喷射结构13用于增加冷却水有效流通面积； 所述第四镂空微结构16内，且与导流叠片3上面阵喷射结构13相对应的位置设有热量导引片17； 所述热量导引片17采用铜或金刚石或碳化硅制作，包括X个的筋条，X个的筋条构成X+1个微型通道23，且每个筋条与其相邻筋条的距离相等，所述筋条的长短有序分布；最外侧微型通道23的宽度大于内侧微型通道23的宽度。

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