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龙图腾网获悉株式会社村田制作所申请的专利二次电池用正极以及二次电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115443556B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180025563.4，技术领域涉及：H01M4/131；该发明授权二次电池用正极以及二次电池是由福田真纯;黄木淳史;根本淳史;小野贵正;仓塚真树;藤川隆成;添田竜次;高桥翔;秋山仁人;河野阳介;西山祥一;浅沼武夫;早崎真治设计研发完成，并于2021-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本二次电池用正极以及二次电池在说明书摘要公布了：二次电池具备包含正极活性物质层的正极、负极和电解液，该正极活性物质层包含由下述的式1表示的层状岩盐型的锂镍复合氧化物。在正极活性物质层的表面使用X射线光电子能谱法分析正极活性物质层时，Al的原子浓度相对于Ni的原子浓度之比X满足由下述的式2表示的条件。在正极活性物质层的内部深度＝100nm使用X射线光电子能谱法分析正极活性物质层时，Al的原子浓度相对于Ni的原子浓度之比Y满足由下述的式3表示的条件。比X相对于比Y之比Z满足由下述的式4表示的条件。在使用了X射线光电子能谱法的正极的表面分析中，检测出B1s光谱、S2p光谱、F1s光谱和Ni3p光谱。B1s光谱的强度相对于Ni3p光谱的强度之比IBN满足由下述的式5表示的条件。S2p光谱的强度相对于Ni3p光谱的强度之比ISN满足由下述的式6表示的条件。F1s光谱的强度相对于Ni3p光谱的强度之比IFN满足由下述的式7表示的条件。LiaNi1‑b‑c‑ dCobAlcMdOe…1M是Fe、Mn、Cu、Zn、Cr、V、Ti、Mg以及Zr中的至少一种。a、b、c、d以及e满足0.8＜a＜1.2、0.06≤b≤0.18、0.015≤c≤0.05、0≤d≤0.08、0＜e＜3、0.1≤b+c+d≤0.22以及4.33≤1‑b‑c‑db≤15.0。0.30≤X≤0.70…20.16≤Y≤0.37…31.30≤Z≤2.52…40.9≤IBN≤1.8…50.4≤ISN≤1.2…68≤IFN≤13…7。

本发明授权二次电池用正极以及二次电池在权利要求书中公布了：1.一种二次电池，具备包含正极活性物质层的正极、负极和电解液， 所述正极活性物质层包含由下述的式1表示的层状岩盐型的锂镍复合氧化物， 在所述正极活性物质层的表面使用X射线光电子能谱法分析所述正极活性物质层时，Al的原子浓度相对于Ni的原子浓度之比X满足由下述的式2表示的条件， 在所述正极活性物质层的内部即深度＝100nm处使用所述X射线光电子能谱法分析所述正极活性物质层时，所述Al的原子浓度相对于所述Ni的原子浓度之比Y满足由下述的式3表示的条件， 所述比X相对于所述比Y之比Z满足由下述的式4表示的条件， 在使用了所述X射线光电子能谱法的所述正极的表面分析中，检测出B1s光谱、S2p光谱、F1s光谱和Ni3p光谱， 所述B1s光谱的强度相对于所述Ni3p光谱的强度之比IBN满足由下述的式5表示的条件， 所述S2p光谱的强度相对于所述Ni3p光谱的强度之比ISN满足由下述的式6表示的条件， 所述F1s光谱的强度相对于所述Ni3p光谱的强度之比IFN满足由下述的式7表示的条件， LiaNi1-b-c-dCobAlcMdOe1 式中，M是Fe、Mn、Cu、Zn、Cr、V、Ti、Mg以及Zr中的至少一种，a、b、c、d以及e满足0.8＜a＜1.2、0.06≤b≤0.18、0.015≤c≤0.05、0≤d≤0.08、0＜e＜3、0.1≤b+c+d≤0.22以及4.33≤1-b-c-db≤15.0， 0.30≤X≤0.702 0.16≤Y≤0.373 1.30≤Z≤2.524 0.9≤IBN≤1.85 0.4≤ISN≤1.26 8≤IFN≤137。

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