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龙图腾网获悉瑶芯微电子科技(上海)有限公司申请的专利屏蔽栅沟槽场效应晶体管结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113299753B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110358023.X，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权屏蔽栅沟槽场效应晶体管结构及其制备方法是由郭亮良设计研发完成，并于2021-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本屏蔽栅沟槽场效应晶体管结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种屏蔽栅沟槽场效应晶体管结构及其制备方法，通过将第一深沟槽及第二深沟槽设置为在不同的深沟槽中且以相间隔的方式排布，避免了晶体管存在不同步开启和关断状态的问题，另使多个阻值相同的电阻RDSon形成并联形式，总电阻相当于RDSonn，n为元胞个数，极大程度上降低了导通电阻，降低器件静态损耗；第一深沟槽的底部区域中填充有BSG材料，降低了器件栅漏交叠面积，从而降低栅漏电容，进而提高器件开关速度，降低器件动态损耗；第一P型环形层及第二P型环形层分别与N型外延层耗尽，随电压增大，相邻第一深沟槽与第二深沟槽的耗尽层相连通，进一步降低器件漏源泄漏电流Idss，降低器件静态损耗并阻止了软击穿的发生；工艺步骤简单，成本低。

本发明授权屏蔽栅沟槽场效应晶体管结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅沟槽场效应晶体管结构，其特征在于，所述场效应晶体管结构包括： 衬底； N型外延层，形成于所述衬底上； 间隔设置的第一深沟槽及第二深沟槽，形成于所述N型外延层中； 第一BSG材料层及第二BSG材料层，所述第一BSG材料层由下向上填充于所述第一深沟槽的部分区域中，所述第二BSG材料层填充于所述第二深沟槽中； 第一P型环形层及第二P型环形层，所述第一P型环形层形成于所述第一BSG材料层的外周，所述第二P型环形层形成于所述第二BSG材料层的外周； 栅氧层，形成于所述第一深沟槽剩余部分区域的内壁上； 栅极多晶硅层，填充于所述第一深沟槽的剩余部分区域中； P型体区，形成于所述N型外延层中； N型源区，形成于所述P型体区中； 介质层，形成于所述N型外延层上，所述介质层中形成有栅极接触孔，所述栅极接触孔填充有金属层以形成栅端； 源端，形成于所述P型体区、N型源区及第二深沟槽上； 漏端，形成于所述衬底背面。

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