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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利一种大尺寸硅片的切割方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112643910B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011644240.7，技术领域涉及：B28D5/04；该发明授权一种大尺寸硅片的切割方法是由陈雪;张舒;高纪凡;王乐设计研发完成，并于2020-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种大尺寸硅片的切割方法在说明书摘要公布了：本发明属于太阳能技术领域，涉及一种大尺寸硅片的切割方法，它是将单晶圆棒去除头尾后，沿着单晶圆棒的轴心线方向将单晶圆棒切割成若干个立方体晶棒，每个立方体晶棒至少有两条边的边长与其他的立方体晶棒相同，之后将立方体晶棒沿那条与其他立方体晶棒的边长不同的边进行切片，切割成矩形硅片。本发明提供一种利用小炉型生产大尺寸硅片的方法，使得各种炉型都可以生产大硅片，尺寸灵活可调，并且提高了硅棒的硅料利用率。

本发明授权一种大尺寸硅片的切割方法在权利要求书中公布了：1.一种大尺寸硅片的切割方法，其特征在于，将单晶圆棒去除头尾后，沿着单晶圆棒的轴心线方向将单晶圆棒切割成若干个长度为l的立方体晶棒，每个立方体晶棒至少有两条边的边长d与其他的立方体晶棒相同，之后将立方体晶棒沿那条与其他立方体晶棒的边长不同的边进行切片，切割成长宽分别为l和d的矩形硅片； 当单晶圆棒的有效直径大于目标硅片宽度d的二倍而小于目标硅片宽度d的三倍时，将圆棒切割成6个立方体方棒，其中2个较大的立方体晶棒其中一边长为d，一边长为h1,沿着单晶圆棒轴心线方向的深度为l；另外两个相对小的立方体，一边长为d，一边长为h2,沿着单晶圆棒轴心线方向的深度为l；另外还有两个相对小的立方体，一边长为d，一边长为h3，沿着单晶圆棒轴心线方向的深度为l，分别将6个立方体晶棒沿着边长为h1、h2和h3的边切割硅片，得到长宽分别为l和d的矩形硅片； 当单晶圆棒的有效直径大于目标硅片宽度d的三倍时，将圆棒切割成5个立方体晶棒，其中一个立方体晶棒一边长为d，一边长为h1,沿着单晶圆棒轴心线方向的深度为l；其中二个立方体晶棒一边长为d，一边长为h2，沿着单晶圆棒轴心线方向的深度为l，剩余二个立方体晶棒一边长为d，一边长为h3,沿着单晶圆棒轴心线方向的深度为l，分别将5个立方体晶棒沿着边长为h1、h2和h3的边切割硅片，得到长宽分别为l和d的矩形硅片；或者， 当单晶圆棒的有效直径大于目标硅片宽度d的三倍时，将圆棒切割成11个立方体晶棒，其中三个立方体晶棒一边长为d，一边长为h1，沿着单晶圆棒轴心线方向的深度为l，其中四个立方体晶棒一边长为d，一边长为h2，沿着单晶圆棒轴心线方向的深度为l，剩余四个立方体晶棒一边长为d，一边长为h3，沿着单晶圆棒轴心线方向的深度为l，分别将11个立方体晶棒沿着边长为h1、h2和h3的边切割硅片，得到长宽分别为l和d的矩形硅片。

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