中芯集成电路(宁波)有限公司韩凤芹获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯集成电路(宁波)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114684775B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011576677.1，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权半导体结构及其形成方法是由韩凤芹;黄河设计研发完成，并于2020-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请公开半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：第一基底；位于所述第一基底表面的应用电路层；键合于所述应用电路层上的功能膜层，所述功能膜层的形成过程中采用的制备工艺条件对所述应用电路层内的至少部分结构具有负面影响。上述半导体结构降低了单芯片集成功能结构与应用电路的难度。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供第一基底，在所述第一基底上形成应用电路层，包括形成应用电路以及连接所述应用电路的第一互连结构； 提供第二基底，所述第二基底表面形成有功能膜层，所述功能膜层包括单晶硅层、多晶硅层、碳化硅层、锗层、锗硅层、掺杂半导体层中的至少一种，所述功能膜层的形成过程中采用的制备工艺包括高温制程，所述高温制程的温度在450℃以上，以对所述应用电路层内的至少部分结构具有负面影响； 将所述第二基底与所述第一基底相对键合固定，其中，所述功能膜层朝向所述应用电路层； 去除所述第二基底； 对所述功能膜层进行处理，形成功能结构，以及连接所述功能结构与所述第一互连结构的第二互连结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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