台湾积体电路制造股份有限公司汪于仕获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113053824B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011563307.4，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体装置的形成方法是由汪于仕;杨鸿杰;李佳颖;叶柏男;邱钰婷;林群能;叶明熙;黄国彬设计研发完成，并于2020-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的形成方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体装置的形成方法。当图案化位于介电层下方的蚀刻停止层时，光刻胶层用以保护介电层以及嵌入在介电层中的导电元件。光刻胶层可以进一步用于蚀刻在蚀刻停止层下方的另一个介电层，其中蚀刻下一个介电层会暴露出接触件，例如栅极接触件。底层可以用于保护嵌入介电层中的导电元件不受用于蚀刻蚀刻停止层的湿式蚀刻剂的破坏。
本发明授权半导体装置的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的形成方法，包括： 图案化一光刻胶层，该光刻胶层在一介电层上方，该介电层包括形成在其中的一第一金属部件； 基于该光刻胶层的一图案蚀刻该介电层，以在该介电层中形成一开口，所述蚀刻停止于该介电层下方的一蚀刻停止层； 当该光刻胶层在该介电层上以及在该第一金属部件上时，蚀刻该蚀刻停止层以穿透该蚀刻停止层；以及 在该介电层中的该开口中形成一导电元件，该导电元件电性耦合至该蚀刻停止层下方的一第二金属部件。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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