三星电子株式会社卢廷铉获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利缺陷检测结构及检测半导体管芯中的缺陷的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113496909B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011533167.6，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权缺陷检测结构及检测半导体管芯中的缺陷的方法是由卢廷铉;李民宰;车云镐设计研发完成，并于2020-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本缺陷检测结构及检测半导体管芯中的缺陷的方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件包括：半导体管芯、缺陷检测结构和输入输出电路。半导体管芯包括：中心区域和包围中心区域的外围区域。外围区域包括左下角区域、左上角区域、右上角区域和右下角区域。缺陷检测结构形成在外围区域中。所述缺陷检测结构包括：穿过左下角区域的第一导电回路、穿过右下角区域的第二导电回路、穿过左下角区域和左上角区域的第三导电回路、穿过右下角区域和右上角区域的第四导电回路以及用于屏蔽所述第一导电回路至所述第四导电回路之间的电干扰的屏蔽回路。输入输出电路电连接到第一导电回路、第二导电回路、第三导电回路和第四导电回路的端节点。
本发明授权缺陷检测结构及检测半导体管芯中的缺陷的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 半导体管芯，包括中心区域和包围所述中心区域的至少一部分的外围区域，半导体集成电路形成在所述中心区域中，所述外围区域包括左下角区域、左上角区域、右上角区域和右下角区域；以及 缺陷检测结构，形成在所述外围区域中，所述缺陷检测结构包括穿过所述左下角区域的第一导电回路、穿过所述右下角区域的第二导电回路、穿过所述左下角区域和所述左上角区域的第三导电回路和穿过所述右下角区域和所述右上角区域的第四导电回路； 其中，所述缺陷检测结构还包括：屏蔽回路，被配置为至少部分地屏蔽所述第一导电回路至所述第四导电回路免受所述第一导电回路至所述第四导电回路之间的电干扰， 其中，所述屏蔽回路是环形的，并通过穿过所述左下角区域、所述左上角区域、所述右上角区域和所述右下角区域沿所述外围区域延伸， 其中，在用于检测所述半导体器件的缺陷的测试操作期间，对所述屏蔽回路上的至少一个偏置节点施加恒定的偏压， 其中，所述至少一个偏置节点的数量和位置根据所述屏蔽回路的电阻性电压降和预计的裂口位置来确定。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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