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龙图腾网获悉华润微电子控股有限公司申请的专利铁电场效应管存储器及其制造方法、操作方法及读写电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114597219B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011400268.6，技术领域涉及：H10B51/00；该发明授权铁电场效应管存储器及其制造方法、操作方法及读写电路是由李少平;陈南翔设计研发完成，并于2020-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本铁电场效应管存储器及其制造方法、操作方法及读写电路在说明书摘要公布了：本发明涉及一种铁电场效应管存储器及其制造方法、操作方法及读写电路，所述存储器包括：衬底；第一绝缘层，设于衬底上；鳍体，设于第一绝缘层上；第一栅，设于第一侧，包括第一栅极和设于第一栅极和鳍体之间的第一介质层；第二栅，设于第二侧，包括第二栅极、铁电层及第二介质层，铁电层和第二介质层设于第二栅极和鳍体之间，铁电层设于第二栅极和第二介质层之间；源极，设于第一端并与鳍体连接；漏极，设于第二端并与鳍体连接。本发明利用在双栅极上给铁电层施加极化翻转电压，相当于直接对铁电层与半导体鳍体施加极化翻转电压，可以一定程度上减缓介质层与场效应管长沟道的分压的问题，进一步提高了铁电存储器的写操作速度。

本发明授权铁电场效应管存储器及其制造方法、操作方法及读写电路在权利要求书中公布了：1.一种铁电场效应管存储器的操作方法，其特征在于，所述铁电场效应管存储器包括： 衬底； 第一绝缘层，设于所述衬底上； 鳍体，设于所述第一绝缘层上，材料为半导体并作为沟道区，所述鳍体在所述铁电场效应管存储器的水平方向上具有相对的第一侧和第二侧以及相对的第一端和第二端； 第一栅，设于所述第一侧，包括第一栅极和设于所述第一栅极和鳍体之间的第一介质层； 第二栅，设于所述第二侧，包括第二栅极、铁电层、电极层及第二介质层，所述铁电层和第二介质层设于所述第二栅极和所述鳍体之间，所述铁电层设于所述第二栅极和所述第二介质层之间，所述电极层设于所述第二栅极和所述铁电层之间； 源极，设于所述第一端并与所述鳍体连接； 漏极，设于所述第二端并与所述鳍体连接； 其中，所述第一栅、鳍体、源极、漏极作为鳍体场效应管，所述第二栅、鳍体、源极、漏极作为鳍体铁电场效应管； 所述操作包括读取操作或写入操作； 所述读取操作包括： 向所述第二栅极施加读取电压，所述第一栅极浮空，在所述源极和漏极之间施加第一电压； 检测所述源极和漏极之间的电流大小，若所述电流大于预设电流值，则判定所述铁电场效应管存储器处于擦除态；若所述电流小于预设电流值，则判定所述铁电场效应管存储器处于编程态； 所述写入操作包括擦除操作或编程操作，所述擦除操作包括向所述第二栅极施加第二电压、所述第一栅极施加第三电压，所述源极和漏极浮空，所述第二电压与第三电压的差值不小于擦除操作的阈值电压或不小于所述铁电层的矫顽场电压；所述编程操作包括向所述第一栅极施加第四电压、所述第二栅极施加第五电压，所述源极和漏极浮空，所述第四电压与第五电压的差值不小于编程操作的阈值电压或不小于所述铁电层的矫顽场电压。

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