日亚化学工业株式会社近藤宏树获国家专利权
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龙图腾网获悉日亚化学工业株式会社申请的专利氮化物半导体元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114730818B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080080193.X，技术领域涉及：H10H20/825；该发明授权氮化物半导体元件是由近藤宏树设计研发完成，并于2020-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化物半导体元件在说明书摘要公布了：本发明的氮化物半导体元件具备：n侧氮化物半导体层；活性层，其设置在n侧氮化物半导体层上，且具备由氮化物半导体构成的多个阱层和由氮化物半导体构成的多个势垒层；p侧氮化物半导体层，其设置在活性层上。多个阱层从n侧氮化物半导体层侧起依次具有：第一中间层，其具有比所述势垒层小的带隙，且含有Al、Ga和N；第二中间层，其具有比第一中间层小的带隙能量，且含有Ga和N；发光层，其具有比第一中间层小的带隙能量，且发出含有Ga和N的紫外光，第一中间层的膜厚比第二中间层及发光层的膜厚薄，多个势垒层中，配置于第二中间层与发光层之间的势垒层掺杂有n型杂质。
本发明授权氮化物半导体元件在权利要求书中公布了：1.一种氮化物半导体元件，具备： n侧氮化物半导体层； 活性层，其设置在所述n侧氮化物半导体层上，具有由氮化物半导体构成的多个阱层和由氮化物半导体构成的多个势垒层； p侧氮化物半导体层，其设置在所述活性层上， 所述多个阱层从所述n侧氮化物半导体层侧起依次具有： 第一中间层，其具有比所述势垒层小的带隙，且含有Al、Ga和N； 第二中间层，其具有比所述第一中间层小的带隙能量，且含有Ga和N； 发光层，其具有比所述第一中间层小的带隙能量，且发出含有Ga和N的紫外光， 所述第一中间层的膜厚比所述第二中间层及所述发光层的膜厚薄， 所述多个势垒层中，配置在所述第二中间层与所述发光层之间的所述势垒层掺杂有n型杂质, 所述第一中间层的膜厚为3nm以上且7nm以下， 所述第二中间层的膜厚为10nm以上且18nm以下， 所述发光层的膜厚为10nm以上且18nm以下。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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