苏州晶湛半导体有限公司刘慰华获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利LED器件、LED结构及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116420238B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080106669.2,技术领域涉及:H10H20/812;该发明授权LED器件、LED结构及其制备方法是由刘慰华;程凯设计研发完成,并于2020-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本LED器件、LED结构及其制备方法在说明书摘要公布了:一种LED器件、LED结构及LED结构的制备方法。该LED结构的制备方法包括:在一衬底1上生长第一导电类型半导体层3;在第一导电类型半导体层3上生长有源层4,有源层4包括层叠设置的势阱层401、插入层402以及势垒层403,插入层402包括层叠设置的第一插入层4021和第二插入层4022,第一插入层4021与势阱层401之间产生量子限制斯塔克效应;势阱层401、第一插入层4021以及势垒层403的材料均为Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料,第二插入层4022的材料包含Si‑N键,用于修复第一插入层4021的V型缺陷;在有源层4上生长第二导电类型半导体层5,第一导电类型半导体层3与第二导电类型半导体层5的导电类型相反。本公开能够防止发光二极管LED的光电性能降低。
本发明授权LED器件、LED结构及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种LED结构的制备方法,其特征在于,包括: 在一衬底1上生长第一导电类型半导体层3; 在所述第一导电类型半导体层3上生长有源层4,所述有源层4包括层叠设置的势阱层401、插入层402以及势垒层403,所述插入层402包括层叠设置的第一插入层4021和第二插入层4022,所述第一插入层4021与所述势阱层401之间产生量子限制斯塔克效应,使势阱禁带宽度变窄,以提高发光波长;所述势阱层401、第一插入层4021以及势垒层403的材料均为Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,所述第二插入层4022的材料包含Si-N键,用于修复所述第一插入层4021的V型缺陷; 在所述有源层4上生长第二导电类型半导体层5,所述第一导电类型半导体层3与所述第二导电类型半导体层5的导电类型相反。
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