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龙图腾网获悉中车大连机车研究所有限公司申请的专利一种高电压等级IGBT识别筛选与栅极保护系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112751320B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011255319.0，技术领域涉及：H02H7/12；该发明授权一种高电压等级IGBT识别筛选与栅极保护系统是由曹哲强;阚京波;丛巍;刘云龙;朱琳;黄琳琳设计研发完成，并于2020-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高电压等级IGBT识别筛选与栅极保护系统在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种高电压等级IGBT识别筛选与栅极保护系统，其包括：IGBT识别筛选单元、栅极信号监控单元、栅极能量释放单元、主控单元、故障信息记录单元；IGBT识别筛选单元能够采集IGBT驱动信号作用下，IGBT器件的栅极反馈信号并生成IGBT识别筛选信号；栅极信号监控单元能够将栅极驱动信号与预设的第二基准电位、第三基准电位、第四基准电位分别比较后，获取对应的栅极驱动信号监控评估信息；栅极能量释放单元能够在主控单元确定出栅极驱动信号的开通电平超过预设值时，停止维持开通电平的电源工作等。本发明能够构建成多级保护系统，提升了IGBT驱动器的可靠性；同时配备故障信息记录功能，增加了IGBT驱动器实用性。

本发明授权一种高电压等级IGBT识别筛选与栅极保护系统在权利要求书中公布了：1.一种高电压等级IGBT识别筛选与栅极保护系统，其特征在于，包括：IGBT识别筛选单元、栅极信号监控单元、栅极能量释放单元、主控单元、故障信息记录单元； 其中，所述IGBT识别筛选单元分别与IGBT器件、主控单元电连接，该IGBT识别筛选单元能够采集IGBT驱动信号作用下，IGBT器件的栅极反馈信号并与预设的第一基准电位比较后生成IGBT识别筛选信号；所述栅极信号监控单元分别与IGBT器件、主控单元电连接，该栅极信号监控单元能够将栅极驱动信号与预设的第二基准电位、预设的第三基准电位、预设的第四基准电位分别比较后，获取对应的栅极驱动信号监控评估信息；所述栅极能量释放单元分别与IGBT器件、主控单元电连接，该栅极能量释放单元能够在主控单元确定出栅极驱动信号的开通电平超过预设值时，停止维持开通电平的电源工作，并利用能量释放电路加速释放开通电平能量； 所述栅极信号监控单元包括：驱动信号处理子单元、第二基准电位输出及比较子单元、第三基准电位输出及比较子单元和第四基准电位输出及比较子单元；其中，所述驱动信号处理子单元分别与IGBT器件、主控单元电连接，该驱动信号处理子单元能够对IGBT驱动信号进行缩放处理；所述第二基准电位输出及比较子单元与主控单元电连接，该第二基准电位输出及比较子单元能够获取处理后的栅极驱动信号与第二基准电位经由比较器比较处理后所输出的数据，并确定出栅极驱动信号的实际输出时间量是否符合预值，所述第三基准电位输出及比较子单元与主控单元电连接，该第三基准电位输出及比较子单元能够获取处理后的栅极驱动信号与第三基准电位经由比较器比较处理后所输出的数据，并确定出栅极驱动信号的实际输出幅值量是否符合预值，所述第四基准电位输出及比较子单元与主控单元电连接，该第四基准电位输出及比较子单元能够获取处理后的栅极驱动信号与第四基准电位经由比较器比较处理后所输出的数据，并确定出栅极驱动信号的实际最大输出幅值是否符合预值；所述栅极能量释放单元包括栅极能量释放电路，所述栅极能量释放电路包括：第一电路、第二电路、第三电路，其中，第一电路包括：第一电容CA3和第七电阻RA30，所述第一电容CA3一侧连接IGBT器件的栅极，另一侧连接第七电阻RA30；所述第七电阻RA30连接至正电源侧；第二电路包括：第二电容CA5和第八电阻RA40，所述第二电容CA5一侧连接IGBT器件的栅极，另一侧连接第八电阻RA40；所述第八电阻RA40连接至负电源侧；第三电路包括：双向瞬态抑制二极管D2、二极管D1、第一MOS管Q3、第二MOS管Q4、瞬变二极管Q5、第九电阻RA31、第十电阻RA34、第十一电阻RA41、第三电容CA4、第一电子器件Q2；所述双向瞬态抑制二极管D2一侧连接接IGBT器件的栅极，另一侧连接第二MOS管Q4的源极；所述二极管D1一侧连接接IGBT器件的栅极，另一侧连接第一MOS管Q3的漏极；所述第一MOS管Q3的栅极连接第二MOS管Q4的漏极，且该第一MOS管Q3的漏极与源极之间设置两个反向串联的稳压二极管；所述瞬变二极管Q5一侧连接第一MOS管Q3的栅极，另一侧接地；所述第一电子器件Q2一侧经由第九电阻RA31连接第十电阻RA34，该第一电子器件Q2另一侧经由第三电容CA4连接第十电阻RA34；所述第十电阻RA34连接至第二MOS管Q4的漏极；所述第十一电阻RA41一侧连接第二MOS管Q4的栅极，另一侧接地。

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