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龙图腾网获悉桂林百锐光电技术有限公司申请的专利一种替代布儒斯特角切割的LN晶体的电光调Q开关获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112164972B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011181502.0，技术领域涉及：H01S3/115；该发明授权一种替代布儒斯特角切割的LN晶体的电光调Q开关是由吴文渊;何小玲;张昌龙;李东平;周海涛;王金亮;左艳彬;苏钰;宋旭东;童静芳设计研发完成，并于2020-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种替代布儒斯特角切割的LN晶体的电光调Q开关在说明书摘要公布了：本发明公开了一种替代布儒斯特角切割的LN晶体的电光调Q开关，包括棱镜、第一电光晶体和第二电光晶体，棱镜、第一电光晶体、第二电光晶体沿通光方向依次排列；棱镜的工作面包括两通光面和两反射面，两通光面均镀设有增透膜，两反射面依据光线在界面是否会发生全反射决定镀设增反膜；第一电光晶体和第二电光晶体采用横向电光效应，沿X轴或Y轴方向通光，沿Z轴施加电场；第一电光晶体和第二电光晶体的主轴绕通光方向相互旋转90°第一电光晶体和第二电光晶体的Z轴与入射面法线方向成45°角。本发明既满足了激光腔内光线产生特定平移的需求，又有效解决了传统布儒斯特角切割的LN电光Q开关温度稳定性差的问题。

本发明授权一种替代布儒斯特角切割的LN晶体的电光调Q开关在权利要求书中公布了：1.一种替代布儒斯特角切割的LN晶体的电光调Q开关，其特征在于，包括：棱镜、第一电光晶体和第二电光晶体，其中，所述棱镜、所述第一电光晶体、所述第二电光晶体沿通光方向依次排列；所述棱镜的工作面包括两通光面和两反射面，两通光面均镀设有增透膜，两反射面依据光线在界面是否会发生全反射决定镀设增反膜； 所述第一电光晶体和所述第二电光晶体采用横向电光效应，沿X轴或Y轴方向通光，沿Z轴施加电场； 所述第一电光晶体和所述第二电光晶体的主轴绕通光方向相互旋转90°且所述第一电光晶体和所述第二电光晶体的Z轴与入射面法线方向成45°角； 所述第一电光晶体和所述第二电光晶体的尺寸完全相同； 入射光为P偏振光，棱镜的反射面对P偏振光和S偏振光的反射系数不同； 棱镜两通光面平行，两反射面平行，通光面与反射面夹角45°； 棱镜工作面的通光口径大于或等于所述第一电光晶体或所述第二电光晶体的通光口径； 所述一种替代布儒斯特角切割的LN晶体的电光调Q开关的工作原理是：电光调Q开关分为两个工作部分，其中棱镜作为光线平移部分，等效LN晶体布儒斯特角切割面产生的光线平移，第一电光晶体和第二电光晶体作为电光调制部分等效LN晶体产生的相位延迟，入射光通过棱镜后发生两次全反射产生一段侧向位移，出射光的传播方向及偏振态保持不变，第一电光晶体与第二电光晶体沿X轴方向通光，晶体的Y、Z主轴绕通光方向相互旋转90°且晶体Z轴与P光偏振方向成45°角。

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