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龙图腾网获悉住友电气工业株式会社申请的专利半导体光学元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112821189B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011169596.X，技术领域涉及：H01S5/026；该发明授权半导体光学元件是由藤原直树;八木英树;小路元;平谷拓生;菊地健彦;新田俊之设计研发完成，并于2020-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体光学元件在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体光学元件，其能够得到良好的特性并且能够小型化。所述半导体光学元件具备：SOI基板，具有硅的波导；及增益区域，与所述SOI基板接合，由III‑V族化合物半导体形成，并具有光学增益，所述波导包括弯曲部和多个直线部，所述多个直线部经由所述弯曲部相互连接并以直线状延伸，所述增益区域位于所述多个直线部的每一个上。

本发明授权半导体光学元件在权利要求书中公布了：1.一种半导体光学元件，其中，具备： SOI基板，具有硅的波导；及 增益区域，与所述SOI基板接合，由III-V族化合物半导体形成，并具有光学增益， 所述波导包括弯曲部和多个直线部，所述多个直线部经由所述弯曲部相互连接并以直线状延伸， 所述增益区域位于所述多个直线部的每一个上， 所述半导体光学元件具备在所述SOI基板上设置的第1电极和第2电极， 所述增益区域具有从所述SOI基板侧依次层叠的n型半导体层、芯层及p型半导体层， 所述n型半导体层、所述芯层及所述p型半导体层分别由III-V族化合物半导体形成， 所述第1电极与所述n型半导体层连接，所述第2电极与所述p型半导体层连接， 多个所述增益区域分别具有所述芯层及所述p型半导体层， 所述多个增益区域共用所述n型半导体层，并且所述n型半导体层将所述多个增益区域电连接， 所述第1电极设置在所述n型半导体层上，并具有与所述n型半导体层连接的多个第1连接部及一个第1焊盘部， 所述第1连接部位于所述多个增益区域之间， 所述第1焊盘部与所述第1连接部连接，并具有比所述第1连接部大的宽度， 所述第2电极具有多个第2连接部及一个第2焊盘部，所述第2连接部与所述p型半导体层连接， 所述第2连接部设置在所述多个增益区域各自的所述p型半导体层上， 所述第2焊盘部与所述第2连接部连接，并具有比所述第2连接部大的宽度， 能够通过在各一个所述第1焊盘部与所述第2焊盘部之间施加电压而向多个所述增益区域的每一个分别注入载流子。

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