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龙图腾网获悉昭和电工材料株式会社申请的专利切割晶粒接合一体型膜及其制造方法和半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114641849B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080077253.2，技术领域涉及：H01L21/301；该发明授权切割晶粒接合一体型膜及其制造方法和半导体装置的制造方法是由森修一;田泽强;木村尚弘设计研发完成，并于2020-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本切割晶粒接合一体型膜及其制造方法和半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种切割晶粒接合一体型膜及其制造方法。切割晶粒接合一体型膜具备基材层、压敏胶黏剂层、及胶黏剂层，所述压敏胶黏剂层为具有与基材层相向的第1面及与其相反侧的第2面的、由活性能量射线固化型压敏胶黏剂组成的压敏胶黏剂层，所述胶黏剂层为以覆盖第2面的中央部的方式设置的胶黏剂层。活性能量射线固化型压敏胶黏剂包含具有可链聚合的官能团的甲基丙烯酸系树脂，官能团为选自丙烯酰基及甲基丙烯酰基的至少一种，甲基丙烯酸系树脂中的官能团的含量为0.4mmolg以上。

本发明授权切割晶粒接合一体型膜及其制造方法和半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，其包括： 准备切割晶粒接合一体型膜的第1工序，所述切割晶粒接合一体型膜具备基材层、压敏胶黏剂层、及胶黏剂层，所述压敏胶黏剂层为具有与所述基材层相向的第1面及与所述第1面相反侧的第2面的、由活性能量射线固化型压敏胶黏剂组成的压敏胶黏剂层，所述胶黏剂层为以覆盖所述压敏胶黏剂层的所述第2面的中央部的方式设置的胶黏剂层； 将晶圆贴附于所述切割晶粒接合一体型膜的所述胶黏剂层，并且将切晶环贴附于所述压敏胶黏剂层的所述第2面的第2工序； 通过使用刀片的刀片切晶，将所述晶圆连同所述胶黏剂层及所述压敏胶黏剂层一并单片化为多个芯片而形成切断体的第3工序； 将所述芯片连同所述胶黏剂层被单片化而成的胶黏剂片一并，从所述切断体的所述压敏胶黏剂层进行拾取的第4工序；及 经由所述胶黏剂片将所述芯片安装于基板或其他芯片上的第5工序， 所述压敏胶黏剂层具有与所述胶黏剂层中的贴附有所述晶圆的区域对应的第1区域和贴附有所述切晶环的第2区域， 所述第1区域为因活性能量射线的照射而呈与所述第2区域相比胶接力下降的状态的区域， 在所述第3工序中，通过所述刀片切晶而形成于所述切断体的所述压敏胶黏剂层上的切口的宽度相对于所述刀片的宽度为75％以上， 所述活性能量射线固化型压敏胶黏剂包含具有可链聚合的官能团的甲基丙烯酸系树脂， 所述官能团为选自丙烯酰基及甲基丙烯酰基的至少一种， 所述甲基丙烯酸系树脂中的所述官能团的含量为0.4～2.0mmolg。

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